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Module IGBT QM20td-h304
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- MITSUBISHI
- IC Collector current 20A
- VCEX Collector-emitter voltage 600V
Quick Comparison
| Settings | Module IGBT QM20td-h304 remove | D1535 Transistor NPN remove | 2N3904 TRANSISTOR NPN TO-92 remove | BD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A remove | 2N4403 Transistor PNP 40V 0.6A remove | BC338-16, NPN 25V 800mA remove |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Image |  |  |  |  |  |  |
| SKU | C05A175 | C05A143 | C05A151 | C05A191 | C05A158 | C05A061 |
| Rating | ||||||
| Price | 350.00د.م. | 20.00د.م. | 2.00د.م. | 7.00د.م. | 1.50د.م. | 1.00د.م. |
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|
| Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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| Description |
| D1535 Transistor NPN |
| NPN, 60 V, 40 W, 4 A | 2N4403 40V Transistor PNP | Transistor bipolaire, BC338-16, NPN 25V 800mA |
| Content | Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V |
| Petits signaux NPN, 600 → 800 mAPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | |||
| Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
| Additional information |
