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6MBI100S-060-50 IGBT MODULE 100A 600V
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Settings | 6MBI100S-060-50 IGBT MODULE 100A 600V remove | D1535 Transistor NPN remove | BC338-16, NPN 25V 800mA remove | D1795 Transistor NPN 10A remove | IRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V remove | 2N4403 Transistor PNP 40V 0.6A remove |
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Image | ||||||
SKU | C05A281 | C05A143 | C05A061 | C05A144 | C05A189 | C05A158 |
Rating | ||||||
Price | 1,200.00د.م. | 20.00د.م. | 1.00د.م. | 20.00د.م. | 6.00د.م. | 1.50د.م. |
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Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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Description | D1535 Transistor NPN | Transistor bipolaire, BC338-16, NPN 25V 800mA | D1795 Transistor NPN 10A | Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V | 2N4403 40V Transistor PNP | |
Content | Petits signaux NPN, 600 → 800 mAPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | Courant de drain Id: 11A |
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Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
Additional information |