6MBI100S-060-50 IGBT MODULE 100A 600V

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Image6MBI100S-060-50 IGBT MODULE 100A 600VD1535 Transistor NPNBC338-16, NPN 25V 800mAD1795 Transistor NPN 10AIRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V2N4403 40V Transistor PNP
SKUC05A281C05A143C05A061C05A144C05A189C05A158
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Description

D1535 Transistor NPN

Transistor bipolaire, BC338-16, NPN 25V 800mA

D1795 Transistor NPN 10A

Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V

2N4403 40V  Transistor PNP
Content

Petits signaux NPN, 600 → 800 mA

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Courant de drain Id: 11A
Dissipation de puissance Pd: 38W
Tension Vds max..: 55V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.175ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal P
Tension, mesure Rds: -10V
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Tension de seuil Vgs: -4V
Type de boîtier de transistor: TO-251AA

  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
  • Courant de collecteur DC: 600mA
  • Nombre de broches: 3
  • Type de boîtier de transistor: TO-92
Weight000000
DimensionsNDNDNDNDNDND
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