6MBI20GS-060 Module IGBT 600V 20A
Module IGBT 600V 20A
Quick Comparison
Settings | 6MBI20GS-060 Module IGBT 600V 20A remove | BC337-40,NPN 45V 800mA remove | BC547A, NPN 45V 100mA remove | TIP122 5A 100V Transistor NPN remove | NPN,BC546 remove | 17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 remove |
---|---|---|---|---|---|---|
Image | ||||||
SKU | C05A452 | C05A062 | C05A065 | C05A154 | C05A064 | C05A190 |
Rating | ||||||
Price | 250.00د.م. | 1.00د.م. | 1.00د.م. | 5.00د.م. | 2.00د.م. | 25.00د.م. |
Stock | In Stock
| In Stock
| In Stock
| In Stock
| In Stock
| In Stock
|
Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
Add to cart | ||||||
Description | Module IGBT 600V 20A | Transistor bipolaire, BC337-40, NPN 45V 800mA | BC547A, NPN 45V 100mA | TIP122 5A 100V Transistor NPN | 5xTransistor bipolaire NPN, BC546 | MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 |
Content | Petits signaux NPN, 600 → 800 mAPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | Petit signal NPN, 100 mA, 40 → 45 VPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | Package / Case TO-220 | Petit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | Courant de drain Id: 17A | |
Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
Additional information |