H20R1202 Transistor IGBT Canal-N 1200V TO-247
- VCE: 1200V
- IC: 20A
- 330W
Quick Comparison
Settings | H20R1202 Transistor IGBT Canal-N 1200V TO-247 remove | 2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w remove | 17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 remove | BC337-40,NPN 45V 800mA remove | Module IGBT QM20td-h304 remove | D1535 Transistor NPN remove |
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Image | ||||||
SKU | C05A366 | C05A145 | C05A190 | C05A062 | C05A175 | C05A143 |
Rating | ||||||
Price | 25.00د.م. | 25.00د.م. | 25.00د.م. | 1.00د.م. | 350.00د.م. | 20.00د.م. |
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Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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Description |
| 2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w | MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 | Transistor bipolaire, BC337-40, NPN 45V 800mA |
| D1535 Transistor NPN |
Content | Courant de drain Id: 17A | Petits signaux NPN, 600 → 800 mAPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | ||||
Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
Additional information |