H20R1202 Transistor IGBT Canal-N 1200V TO-247

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  • VCE: 1200V
  • IC: 20A
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Description
  • VCE: 1200V
  • IC: 20A
  • 330W

2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w

MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3

Transistor bipolaire, BC337-40, NPN 45V 800mA

  • MITSUBISHI
  • IC Collector current 20A
  • VCEX Collector-emitter voltage 600V

D1535 Transistor NPN

Content

Courant de drain Id: 17A
Dissipation de puissance Pd: 227W
Tension Vds max..: 800V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.25ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal N
Tension, mesure Rds: 10V
Tension de seuil Vgs: 3V
Type de boîtier de transistor: TO-220

Petits signaux NPN, 600 → 800 mA

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

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