PNP -30 V -100 mA

SKU: C05A068
In Stock
3.50د.م.
In Stock
Ajouter à la liste de souhaits
Ajouter à la liste de souhaits
Ajouter à la liste de souhaits
Ajouter à la liste de souhaits
Compare
SKU: C05A068 Categories: ,

5xTransistor bipolaire  PNP -30 V -100 mA, TO-92, 3 broches

Description

Petit signal PNP, jusqu’à 100 mA

 

Petit signal PNP

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu’à 1 000 mA, et l’alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Quick Comparison

SettingsPNP -30 V -100 mA removeModule IGBT QM20td-h304 removeBC548A, NPN 30V 100mA remove0.5A dc 60V dc Mosfet - Transistor MOSFET Canal-N remove2N3906, PNP -40 V -200 mA remove2N4401 40V Transistor NPN remove
ImageTransistor, Fairchild, BC559BTATransistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mATransistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dcPNP -40V -200mA2N4401 40V Transistor NPN
SKUC05A068C05A175C05A122C05A070C05A067C05A157
Rating
Price3.50د.م.350.00د.م.2.00د.م.8.50د.م.1.00د.م.1.50د.م.
Stock
In Stock
In Stock
In Stock
In Stock
In Stock
In Stock
AvailabilityIn StockIn StockIn StockIn StockIn StockIn Stock
Add to cart

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Description

5xTransistor bipolaire  PNP -30 V -100 mA, TO-92, 3 broches

  • MITSUBISHI
  • IC Collector current 20A
  • VCEX Collector-emitter voltage 600V

Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA

5xTransistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dc

Ce produit est vendu par packet de 5 unités.

Transistor bipolaire, 2N3906, PNP -40 V -200 mA,  TO-92, 3 broches

2N4401 40V  Transistor NPN

Content

Petit signal PNP, jusqu'à 100 mA

 

Petit signal PNP

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A

MOSFET - Canal N

Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Une tension sur l'électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.

Petit signal PNP, 150 → 400 mA

 

Petit signal PNP

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
  • Courant de collecteur DC: 600mA
  • Nombre de broches: 3
  • Température de fonctionnement max..: 150°C
  • Polarité transistor: NPN
  • Type de boîtier de transistor: TO-92
Weight000000
DimensionsNDNDNDNDNDND
Additional information
Select the fields to be shown. Others will be hidden. Drag and drop to rearrange the order.
  • Image
  • SKU
  • Rating
  • Price
  • Stock
  • Availability
  • Add to cart
  • Description
  • Content
  • Weight
  • Dimensions
  • Additional information
  • Attributes
  • Custom attributes
  • Custom fields
Click outside to hide the comparison bar
Compare