W45NM50, Transistor MOSFET, Canal-N, 45 A 500 V TO-247

SKU: C05A365
In Stock
40.00د.م.
In Stock
Ajouter à la liste de souhaits
Ajouter à la liste de souhaits
Ajouter à la liste de souhaits
Ajouter à la liste de souhaits
Compare
SKU: C05A365 Categories: , ,

STW45NM60 45A 500V Canal-N

Description

Caractéristiques techniques:

  • Type de canal     N
  • Courant continu de Drain maximum     45 A
  • Tension Drain Source maximum     500 V
  • Résistance Drain Source maximum     110 mΩ
  • Tension de seuil maximale de la grille     5V
  • Tension de seuil minimale de la grille     3V
  • Tension Grille Source maximum     -30 V, +30 V
  • Type de boîtier     A-247
  • Type de montage     Traversant
  • Nombre de broche     3
  • Catégorie     MOSFET de puissance

Quick Comparison

SettingsW45NM50, Transistor MOSFET, Canal-N, 45 A 500 V TO-247 removeIRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V removeTIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN removeBC337-40,NPN 45V 800mA removeC5707 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 A removeD1535 Transistor NPN remove
ImageW45NM50, Transistor MOSFET, Canal-N, 45 A 500 V TO-247IRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 VTIP142 10A 100V Darlington Transistor NPNBC337-40, NPN 45V 800mAC5707 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 AD1535 Transistor NPN
SKUC05A365C05A189C05A153C05A062C05A188C05A143
Rating
Price40.00د.م.6.00د.م.6.00د.م.1.00د.م.6.00د.م.20.00د.م.
Stock
In Stock
In Stock
In Stock
In Stock
In Stock
In Stock
AvailabilityIn StockIn StockIn StockIn StockIn StockIn Stock
Add to cart

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Description

STW45NM60 45A 500V Canal-N

Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V

Amps: 10
Voltage: 100
Package: TO-218
Nombre de terminaux: 3

Transistor bipolaire, BC337-40, NPN 45V 800mA

NPN, 50 V, 8A

D1535 Transistor NPN

Content

Caractéristiques techniques:

  • Type de canal     N
  • Courant continu de Drain maximum     45 A
  • Tension Drain Source maximum     500 V
  • Résistance Drain Source maximum     110 mΩ
  • Tension de seuil maximale de la grille     5V
  • Tension de seuil minimale de la grille     3V
  • Tension Grille Source maximum     -30 V, +30 V
  • Type de boîtier     A-247
  • Type de montage     Traversant
  • Nombre de broche     3
  • Catégorie     MOSFET de puissance

Courant de drain Id: 11A
Dissipation de puissance Pd: 38W
Tension Vds max..: 55V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.175ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal P
Tension, mesure Rds: -10V
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Tension de seuil Vgs: -4V
Type de boîtier de transistor: TO-251AA

Maximum Ratings:
Collector-base voltage (IE = 0): 100V
Collector-emitter voltage (IB = 0): 100V
Emitter-base voltage (IC = 0): 5.0V
Collector current: 10A
Collector peak current: 20A
Base current: 0.5A

Applications: Linear and Switching Industrial Equipment

Petits signaux NPN, 600 → 800 mA

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 50V
Courant de collecteur DC: 8A
Gain en courant DC hFE: 200
Dissipation de puissance Pd: 15W
Fréquence de transition ft: 330MHz
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-251

Weight000000
DimensionsNDNDNDNDNDND
Additional information
Select the fields to be shown. Others will be hidden. Drag and drop to rearrange the order.
  • Image
  • SKU
  • Rating
  • Price
  • Stock
  • Availability
  • Add to cart
  • Description
  • Content
  • Weight
  • Dimensions
  • Additional information
  • Attributes
  • Custom attributes
  • Custom fields
Click outside to hide the comparison bar
Compare