2N3773G Transistor NPN 140V 16A TO-204

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Description

Caractéristiques:

  • Type de transistor     NPN
  • Courant continu de Collecteur maximum     16A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum     140V
  • Type de boîtier     TO-204
  • Dissipation de puissance maximum     150W
  • Gain en courant DC minimum     5
  • Tension Collecteur Base maximum     160V
  • Tension Emetteur Base maximum     7V
  • Nombre de broche     3

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Image2N3773G Transistor NPN 140V 16A TO-204D1795 Transistor NPN 10A2sc 5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200wC5707 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 AIRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 VTransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600V
SKUC05A437C05A144C05A145C05A188C05A189C05A071
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Description

D1795 Transistor NPN 10A

2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w

NPN, 50 V, 8A

Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V

5xTransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600V

Ce produit est vendu par packet de 5 unités.

Content

Caractéristiques:

  • Type de transistor     NPN
  • Courant continu de Collecteur maximum     16A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum     140V
  • Type de boîtier     TO-204
  • Dissipation de puissance maximum     150W
  • Gain en courant DC minimum     5
  • Tension Collecteur Base maximum     160V
  • Tension Emetteur Base maximum     7V
  • Nombre de broche     3

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 50V
Courant de collecteur DC: 8A
Gain en courant DC hFE: 200
Dissipation de puissance Pd: 15W
Fréquence de transition ft: 330MHz
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-251

Courant de drain Id: 11A
Dissipation de puissance Pd: 38W
Tension Vds max..: 55V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.175ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal P
Tension, mesure Rds: -10V
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Tension de seuil Vgs: -4V
Type de boîtier de transistor: TO-251AA

Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A

 

MOSFET - Canal N

Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Une tension sur l'électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.

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