2SA1494 Transistor, PNP, 200 V, 17 A, MT-200, 3 broches
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Settings | 2SA1494 Transistor, PNP, 200 V, 17 A, MT-200, 3 broches remove | IRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V remove | BD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A remove | 2N3906, PNP -40 V -200 mA remove | Module IGBT QM20td-h304 remove | NPN,BC546 remove |
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Image | ||||||
SKU | C05A350 | C05A189 | C05A191 | C05A067 | C05A175 | C05A064 |
Rating | ||||||
Price | 35.00د.م. | 6.00د.م. | 7.00د.م. | 1.00د.م. | 350.00د.م. | 2.00د.م. |
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Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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Description | Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V | NPN, 60 V, 40 W, 4 A | Transistor bipolaire, 2N3906, PNP -40 V -200 mA, TO-92, 3 broches |
| 5xTransistor bipolaire NPN, BC546 | |
Content | Courant de drain Id: 11A | Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V | Petit signal PNP, 150 → 400 mAPetit signal PNPLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P. | Petit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | ||
Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
Additional information |