2SC3998 – Transistor NPN 1500V 25A 250W TOP3L

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C3998 transistor NPN  25A 1500V

Description

Caractéristiques:

  • Type of transistor     NPN    
  • Polarisation     bipolar    
  • Collector-emitter voltage     1.5kV    
  • Collector current     25A    
  • Power     250W    
  • Boitier     TOP3L

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Image2SC3998 - Transistor NPN 1500V 25A 250W TOP3L2sc 5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200wIRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 VBC547A, NPN 45V 100mAG15N60 - Transistor IGBT 15A 600VTransistor bipolaire NPN, BC546
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Description

C3998 transistor NPN  25A 1500V

2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w

Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V

BC547A, NPN 45V 100mA

Applications:

AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.

5xTransistor bipolaire NPN, BC546

Content

Caractéristiques:

  • Type of transistor     NPN    
  • Polarisation     bipolar    
  • Collector-emitter voltage     1.5kV    
  • Collector current     25A    
  • Power     250W    
  • Boitier     TOP3L

Courant de drain Id: 11A
Dissipation de puissance Pd: 38W
Tension Vds max..: 55V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.175ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal P
Tension, mesure Rds: -10V
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Tension de seuil Vgs: -4V
Type de boîtier de transistor: TO-251AA

Petit signal NPN, 100 mA, 40 → 45 V

 

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

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