2SC3998 – Transistor NPN 1500V 25A 250W TOP3L
C3998 transistor NPN 25A 1500V
Description
Caractéristiques:
- Type of transistor NPN
- Polarisation bipolar
- Collector-emitter voltage 1.5kV
- Collector current 25A
- Power 250W
- Boitier TOP3L
Quick Comparison
Settings | 2SC3998 - Transistor NPN 1500V 25A 250W TOP3L remove | 2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w remove | IRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V remove | BC547A, NPN 45V 100mA remove | G15N60 - Transistor IGBT 15A 600V remove | NPN,BC546 remove |
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Image | ||||||
SKU | C05A433 | C05A145 | C05A189 | C05A065 | C05A177 | C05A064 |
Rating | ||||||
Price | 25.00د.م. | 25.00د.م. | 6.00د.م. | 1.00د.م. | 30.00د.م. | 2.00د.م. |
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Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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Description | C3998 transistor NPN 25A 1500V | 2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w | Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V | BC547A, NPN 45V 100mA | Applications: AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls. | 5xTransistor bipolaire NPN, BC546 |
Content | Caractéristiques:
| Courant de drain Id: 11A | Petit signal NPN, 100 mA, 40 → 45 VPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | Petit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | ||
Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
Additional information |