2SK3878, MOSFET, Canal-N, 9 A 900 V TO-3PN, 3 broches

Description

Caractéristiques techniques:

• Type de canal    N
• Courant continu de Drain maximum    9 A
• Tension Drain Source maximum    900 V
• Résistance Drain Source maximum    1,3 Ω
• Tension de seuil maximale de la grille    4V
• Tension Grille Source maximum    ±30 V
• Type de boîtier    TO-3PN
• Type de montage    Traversant
• Configuration du transistor    Simple
• Nombre de broche    3
• Mode canal    Enrichissement
• Catégorie    MOSFET de puissance
• Dissipation de puissance maximum    150 W
• Matériau du transistor    Si
• Température de fonctionnement minimum    -55 °C
• Charge de Grille type @ Vgs    60 nC @ 10 V
• Capacitance d’entrée typique @ Vds    2 200 pF @ 25 V
• Température d’utilisation maximum    +150 °C
• Hauteur    19mm
• Longueur    15.9mm
• Nombre d’éléments par circuit    1
• Largeur    4.8mm
• Dimensions    15.9 x 4.8 x 19mm