IRF740, MOSFET, Canal-N, 10A 400V TO-220

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Description

  • Type de canal    N
  • Courant continu de Drain maximum    10 A
  • Tension Drain Source maximum    400 V
  • Type de boîtier    TO-220AB
  • Nombre de broche    3
  • Catégorie    MOSFET de puissance

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ImageBUK9575-100A, Transistor MOSFET, Canal-N, 23 A 100 V TO-220AB, 3 broches2N7000, Transistor MOSFET, Canal-N, 200 mA 60 V TO-92IRF3205, Transistor MOSFET, Canal-N, 110 A 55 V TO-220AB, 3 brochesIR2113 Double Driver de puissance MOSFET 2.5A, Non inverseur, 10 → 20 V DIP-14Transistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600V
SKUC05A262C05A275C05A364C05A256C05A253C05A071
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Description

Driver MOSFET

5xTransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600V

Ce produit est vendu par packet de 5 unités.

Content
  • Type de canal    N
  • Courant continu de Drain maximum    10 A
  • Tension Drain Source maximum    400 V
  • Type de boîtier    TO-220AB
  • Nombre de broche    3
  • Catégorie    MOSFET de puissance

Caractéristiques techniques:

  • Type de canal    N
  • Courant continu de Drain maximum    23 A
  • Tension Drain Source maximum    100 V
  • Résistance Drain Source maximum    0,072 Ω
  • Tension de seuil maximale de la grille    2V
  • Tension de seuil minimale de la grille    1V
  • Tension Grille Source maximum    ±15 V
  • Type de boîtier    TO-220AB
  • Type de montage    Traversant
  • Nombre de broche    3
  • Configuration du transistor    Simple
  • Mode canal    Enrichissement
  • Catégorie    MOSFET de puissance
  • Dissipation de puissance maximum    98 W
  • Température d'utilisation maximum    +175 °C
  • Hauteur    9.4mm
  • Retard au blocage typique    58 ns
  • Capacitance d'entrée typique @ Vds    1278 pF @ 25 V
  • Nombre d'éléments par circuit    1
  • Dimensions    10.3 x 4.7 x 9.4mm
  • Température de fonctionnement minimum    -55 °C

Caractéristiques techniques:

  • Type de canal     N
  • Courant continu de Drain maximum     200 mA
  • Tension Drain Source maximum     60 V
  • Résistance Drain Source maximum     5 Ω
  • Tension de seuil maximale de la grille     3V
  • Tension Grille Source maximum     -20 V, +20 V
  • Type de boîtier     TO-92
  • Type de montage     Traversant
  • Configuration du transistor     Simple
  • Nombre de broche     3
  • Mode canal     Enrichissement
  • Catégorie     Petit signaux
  • Dissipation de puissance maximum     350 mW
Caractéristiques techniques:
  • Type de canal    N
  • Courant continu de Drain maximum    110 A
  • Type de boîtier    TO-220AB
  • Type de montage    Traversant
  • Nombre de broche    3
  • Catégorie    MOSFET de puissance

Caractéristiques:

  • Nombre de drivers    2
  • Tension d'alimentation de fonctionnement minimum    10 V
  • Tension d'alimentation fonctionnement maximum    20 V
  • Configuration du driver    Non inverseur
  • Type de montage    Traversant
  • Courant de sortie crête    2.5A
  • Nombre de sorties    2
  • Type de driver    High/Low Side
  • Type de boîtier    PDIP
  • Nombre de broche    14
  • Compatibilité de logique d'entrée    CMOS, LSTTL
  • Dépendance High and Low Sides    Indépendant
  • Largeur    7.11mm
  • Dimensions    20.19 x 7.11 x 5.33mm
  • Longueur    20.19mm
  • Température d'utilisation maximum    +125 °C
  • Hauteur    5.33mm
  • Température de fonctionnement minimum    -40 °C

Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A

 

MOSFET - Canal N

Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Une tension sur l'électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.

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DimensionsNDNDNDNDNDND
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