IRF740, MOSFET, Canal-N, 10A 400V TO-220

• Type de canal    N

• Courant continu de Drain maximum    10 A

• Tension Drain Source maximum    400 V

• Type de boîtier    TO-220AB

• Nombre de broche    3

• Catégorie    MOSFET de puissance

Caractéristiques techniques:

• Type de canal    N
• Courant continu de Drain maximum    23 A
• Tension Drain Source maximum    100 V
• Résistance Drain Source maximum    0,072 Ω
• Tension de seuil maximale de la grille    2V
• Tension de seuil minimale de la grille    1V
• Tension Grille Source maximum    ±15 V
• Type de boîtier    TO-220AB
• Type de montage    Traversant
• Nombre de broche    3
• Configuration du transistor    Simple
• Mode canal    Enrichissement
• Catégorie    MOSFET de puissance
• Dissipation de puissance maximum    98 W
• Température d'utilisation maximum    +175 °C
• Hauteur    9.4mm
• Retard au blocage typique    58 ns
• Capacitance d'entrée typique @ Vds    1278 pF @ 25 V
• Nombre d'éléments par circuit    1
• Dimensions    10.3 x 4.7 x 9.4mm
• Température de fonctionnement minimum    -55 °C

Caractéristiques techniques:

• Type de canal     N
• Courant continu de Drain maximum     200 mA
• Tension Drain Source maximum     60 V
• Résistance Drain Source maximum     5 Ω
• Tension de seuil maximale de la grille     3V
• Tension Grille Source maximum     -20 V, +20 V
• Type de boîtier     TO-92
• Type de montage     Traversant
• Configuration du transistor     Simple
• Nombre de broche     3
• Mode canal     Enrichissement
• Catégorie     Petit signaux
• Dissipation de puissance maximum     350 mW

• Type de canal    N
• Courant continu de Drain maximum    110 A
• Type de boîtier    TO-220AB
• Type de montage    Traversant
• Nombre de broche    3
• Catégorie    MOSFET de puissance

Caractéristiques:

• Nombre de drivers    2
• Tension d'alimentation de fonctionnement minimum    10 V
• Tension d'alimentation fonctionnement maximum    20 V
• Configuration du driver    Non inverseur
• Type de montage    Traversant
• Courant de sortie crête    2.5A
• Nombre de sorties    2
• Type de driver    High/Low Side
• Type de boîtier    PDIP
• Nombre de broche    14
• Compatibilité de logique d'entrée    CMOS, LSTTL
• Dépendance High and Low Sides    Indépendant
• Largeur    7.11mm
• Dimensions    20.19 x 7.11 x 5.33mm
• Longueur    20.19mm
• Température d'utilisation maximum    +125 °C
• Hauteur    5.33mm
• Température de fonctionnement minimum    -40 °C