IR2113 Double Driver MOSFET 2.5A, Non inverseur, 10 → 20 V DIP-14

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Driver MOSFET

Description

  • Nombre de drivers    2
  • Tension d’alimentation de fonctionnement minimum    10 V
  • Tension d’alimentation fonctionnement maximum    20 V
  • Configuration du driver    Non inverseur
  • Type de montage    Traversant
  • Courant de sortie crête    2.5A
  • Nombre de sorties    2
  • Type de driver    High/Low Side
  • Type de boîtier    PDIP
  • Nombre de broche    14
  • Compatibilité de logique d’entrée    CMOS, LSTTL
  • Dépendance High and Low Sides    Indépendant
  • Largeur    7.11mm
  • Dimensions    20.19 x 7.11 x 5.33mm
  • Longueur    20.19mm
  • Température d’utilisation maximum    +125 °C
  • Hauteur    5.33mm
  • Température de fonctionnement minimum    -40 °C

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SettingsIR2113 Double Driver MOSFET 2.5A, Non inverseur, 10 → 20 V DIP-14 removeIRF540N, Transistor MOSFET, Canal-N, 33 A 100 V TO-262, 3 broches removeIR2104 Driver de puissance MOSFET DIP-8 removeIRF740, MOSFET, Canal-N, 10A 400V TO-220 removeW45NM50, Transistor MOSFET, Canal-N, 45 A 500 V TO-247 removeIRF3205, Transistor MOSFET, Canal-N, 110 A 55 V TO-220AB, 3 broches remove
ImageIR2113 Double Driver de puissance MOSFET 2.5A, Non inverseur, 10 → 20 V DIP-14IRF540N, Transistor MOSFET, Canal-N, 33 A 100 V TO-262, 3 brochesIR2104 Driver de puissance MOSFET DIP-8W45NM50, Transistor MOSFET, Canal-N, 45 A 500 V TO-247IRF3205, Transistor MOSFET, Canal-N, 110 A 55 V TO-220AB, 3 broches
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DescriptionDriver MOSFET

IR2104 Driver de puissance MOSFET et IGBT 0.36A Demi-pont, Non inverseur, 10 → 20 V, 8 broches

STW45NM60 45A 500V Canal-N

Content
  • Nombre de drivers    2
  • Tension d'alimentation de fonctionnement minimum    10 V
  • Tension d'alimentation fonctionnement maximum    20 V
  • Configuration du driver    Non inverseur
  • Type de montage    Traversant
  • Courant de sortie crête    2.5A
  • Nombre de sorties    2
  • Type de driver    High/Low Side
  • Type de boîtier    PDIP
  • Nombre de broche    14
  • Compatibilité de logique d'entrée    CMOS, LSTTL
  • Dépendance High and Low Sides    Indépendant
  • Largeur    7.11mm
  • Dimensions    20.19 x 7.11 x 5.33mm
  • Longueur    20.19mm
  • Température d'utilisation maximum    +125 °C
  • Hauteur    5.33mm
  • Température de fonctionnement minimum    -40 °C
Caractéristiques techniques:
  • Type de canal    N
  • Courant continu de Drain maximum    33 A
  • Tension Drain Source maximum    100 V
  • Type de boîtier    TO-220AB
  • Mode canal    Enrichissement
  • Catégorie    MOSFET de puissance

Drivers de grille MOSFET et IGBT, demi-pont

Déscriptif:

  • Plage d'alimentation de commande de la grille 6 à 20 V
  • Entrées CMOS à déclencheur Schmitt
  • Deux commandes de grille indépendantes
  • Temps de propagation adapté pour les deux canaux
  • Sorties en phase avec les entrées



Caractéristiques techniques:

  • Nombre de drivers    2
  • Tension d'alimentation de fonctionnement minimum    10 V
  • Tension d'alimentation fonctionnement maximum    20 V
  • Configuration du driver    Inverseur, Non-inverseur
  • Type de montage    Traversant
  • Courant de sortie crête    0.36A
  • Nombre de sorties    2
  • Type de driver    High/Low Side
  • Type de boîtier    PDIP
  • Nombre de broche    8
  • Type de pont    Demi-pont
  • Compatibilité de logique d'entrée    CMOS, LSTTL
  • Dépendance High and Low Sides    Synchrone
  • Type de canal    N
  • Courant continu de Drain maximum    10 A
  • Tension Drain Source maximum    400 V
  • Type de boîtier    TO-220AB
  • Nombre de broche    3
  • Catégorie    MOSFET de puissance

Caractéristiques techniques:

  • Type de canal     N
  • Courant continu de Drain maximum     45 A
  • Tension Drain Source maximum     500 V
  • Résistance Drain Source maximum     110 mΩ
  • Tension de seuil maximale de la grille     5V
  • Tension de seuil minimale de la grille     3V
  • Tension Grille Source maximum     -30 V, +30 V
  • Type de boîtier     A-247
  • Type de montage     Traversant
  • Nombre de broche     3
  • Catégorie     MOSFET de puissance
Caractéristiques techniques:
  • Type de canal    N
  • Courant continu de Drain maximum    110 A
  • Type de boîtier    TO-220AB
  • Type de montage    Traversant
  • Nombre de broche    3
  • Catégorie    MOSFET de puissance
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