IR2113 Double Driver MOSFET 2.5A, Non inverseur, 10 → 20 V DIP-14

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Driver MOSFET

Description

Caractéristiques:

  • Nombre de drivers    2
  • Tension d’alimentation de fonctionnement minimum    10 V
  • Tension d’alimentation fonctionnement maximum    20 V
  • Configuration du driver    Non inverseur
  • Type de montage    Traversant
  • Courant de sortie crête    2.5A
  • Nombre de sorties    2
  • Type de driver    High/Low Side
  • Type de boîtier    PDIP
  • Nombre de broche    14
  • Compatibilité de logique d’entrée    CMOS, LSTTL
  • Dépendance High and Low Sides    Indépendant
  • Largeur    7.11mm
  • Dimensions    20.19 x 7.11 x 5.33mm
  • Longueur    20.19mm
  • Température d’utilisation maximum    +125 °C
  • Hauteur    5.33mm
  • Température de fonctionnement minimum    -40 °C

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SettingsIR2113 Double Driver MOSFET 2.5A, Non inverseur, 10 → 20 V DIP-14 remove2N2222, NPN 40 V 1 A remove17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 removeBC337-40,NPN 45V 800mA removeIR2110 Driver Mosfet DIP-14 remove2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w remove
ImageIR2113 Double Driver de puissance MOSFET 2.5A, Non inverseur, 10 → 20 V DIP-14NPN 40V 1A, Amplificateur de puissance17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3BC337-40, NPN 45V 800mAIR2110 Driver de mosfet DIP-142sc 5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w
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Description

Driver MOSFET

Transistor bipolaire, PN2222ATFR, NPN 40 V 1 A

MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3

Transistor bipolaire, BC337-40, NPN 45V 800mA

Driver MOSFET DIP-14

2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w

Content

Caractéristiques:

  • Nombre de drivers    2
  • Tension d'alimentation de fonctionnement minimum    10 V
  • Tension d'alimentation fonctionnement maximum    20 V
  • Configuration du driver    Non inverseur
  • Type de montage    Traversant
  • Courant de sortie crête    2.5A
  • Nombre de sorties    2
  • Type de driver    High/Low Side
  • Type de boîtier    PDIP
  • Nombre de broche    14
  • Compatibilité de logique d'entrée    CMOS, LSTTL
  • Dépendance High and Low Sides    Indépendant
  • Largeur    7.11mm
  • Dimensions    20.19 x 7.11 x 5.33mm
  • Longueur    20.19mm
  • Température d'utilisation maximum    +125 °C
  • Hauteur    5.33mm
  • Température de fonctionnement minimum    -40 °C

Courant de drain Id: 17A
Dissipation de puissance Pd: 227W
Tension Vds max..: 800V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.25ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal N
Tension, mesure Rds: 10V
Tension de seuil Vgs: 3V
Type de boîtier de transistor: TO-220

Petits signaux NPN, 600 → 800 mA

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

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