2SK3878, MOSFET, Canal-N, 9 A 900 V TO-3PN, 3 broches

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k3878

Description

Caractéristiques techniques:

  • Type de canal    N
  • Courant continu de Drain maximum    9 A
  • Tension Drain Source maximum    900 V
  • Résistance Drain Source maximum    1,3 Ω
  • Tension de seuil maximale de la grille    4V
  • Tension Grille Source maximum    ±30 V
  • Type de boîtier    TO-3PN
  • Type de montage    Traversant
  • Configuration du transistor    Simple
  • Nombre de broche    3
  • Mode canal    Enrichissement
  • Catégorie    MOSFET de puissance
  • Dissipation de puissance maximum    150 W
  • Matériau du transistor    Si
  • Température de fonctionnement minimum    -55 °C
  • Charge de Grille type @ Vgs    60 nC @ 10 V
  • Capacitance d’entrée typique @ Vds    2 200 pF @ 25 V
  • Température d’utilisation maximum    +150 °C
  • Hauteur    19mm
  • Longueur    15.9mm
  • Nombre d’éléments par circuit    1
  • Largeur    4.8mm
  • Dimensions    15.9 x 4.8 x 19mm
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