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FGH60N60SFD IGBT, Canal-N 120A 600V A-247
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FGH60N60SFD Transistor IGBT, Canal-N, 120 A 600 V A-247, 3 broches
Description
Caractéristiques:
- Configuration Simple
- Courant continu de Collecteur maximum 120 A
- Dimensions 15.6 x 4.7 x 20.6mm
- Dissipation de puissance maximum 378 W
- Hauteur 20.6mm
- Largeur 4.7mm
- Longueur 15.6mm
- Nombre de broche 3
- Température d’utilisation maximum +150 °C
- Température de fonctionnement minimum -55 °C
- Tension Collecteur Émetteur maximum 600 V
- Tension Grille Émetteur maximum ±20V
- Type de boîtier TO-247
- Type de canal N
- Type de montage Traversant
Quick Comparison
| Settings | FGH60N60SFD IGBT, Canal-N 120A 600V A-247 remove | BC337-40,NPN 45V 800mA remove | IR2110 Driver Mosfet DIP-14 remove | BC338-16, NPN 25V 800mA remove | 2N3904 TRANSISTOR NPN TO-92 remove | 2N4401 40V Transistor NPN remove |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Image | |  |  |  |  |  |
| SKU | C05A203 | C05A062 | C05A107 | C05A061 | C05A151 | C05A157 |
| Rating | ||||||
| Price | 45.00د.م. | 1.00د.م. | 25.00د.م. | 1.00د.م. | 2.00د.م. | 1.50د.م. |
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| Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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| Description | FGH60N60SFD Transistor IGBT, Canal-N, 120 A 600 V A-247, 3 broches | Transistor bipolaire, BC337-40, NPN 45V 800mA | Driver MOSFET DIP-14 | Transistor bipolaire, BC338-16, NPN 25V 800mA |
| 2N4401 40V Transistor NPN |
| Content | Caractéristiques:
| Petits signaux NPN, 600 → 800 mAPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | Petits signaux NPN, 600 → 800 mAPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. |
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| Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
| Additional information |
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