FGH60N60SFD IGBT, Canal-N 120A 600V A-247

SKU: C05A203
In Stock
45.00د.م.
In Stock
Ajouter à la liste de souhaits
Ajouter à la liste de souhaits
Ajouter à la liste de souhaits
Ajouter à la liste de souhaits
Compare
Other people want this. 1 people have this in their carts right now.
SKU: C05A203 Categories: ,

FGH60N60SFD  Transistor IGBT,  Canal-N, 120 A 600 V A-247, 3 broches

Description

Caractéristiques:

  • Configuration    Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum    120 A
  • Dimensions    15.6 x 4.7 x 20.6mm
  • Dissipation de puissance maximum    378 W
  • Hauteur    20.6mm
  • Largeur    4.7mm
  • Longueur    15.6mm
  • Nombre de broche    3
  • Température d’utilisation maximum    +150 °C
  • Température de fonctionnement minimum    -55 °C
  • Tension Collecteur Émetteur maximum    600 V
  • Tension Grille Émetteur maximum    ±20V
  • Type de boîtier    TO-247
  • Type de canal    N
  • Type de montage    Traversant

Quick Comparison

SettingsFGH60N60SFD IGBT, Canal-N 120A 600V A-247 removeBD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A removeIR2110 Driver Mosfet DIP-14 remove2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w removeD1535 Transistor NPN remove2N2222, NPN 40 V 1 A remove
ImageFGH60N60SFD Transistor IGBT, Canal-N, 120A 600V A-247, 3 brochesBD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 AIR2110 Driver de mosfet DIP-142sc 5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200wD1535 Transistor NPNNPN 40V 1A, Amplificateur de puissance
SKUC05A203C05A191C05A107C05A145C05A143C05A063
Rating
Price45.00د.م.7.00د.م.25.00د.م.25.00د.م.20.00د.م.1.00د.م.
Stock
In Stock
In Stock
Out of stock
In Stock
In Stock
In Stock
AvailabilityIn StockIn StockOut of stockIn StockIn StockIn Stock
Add to cart

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Lire la suite

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Ajouter au panier

DescriptionFGH60N60SFD  Transistor IGBT,  Canal-N, 120 A 600 V A-247, 3 broches

NPN, 60 V, 40 W, 4 A

Driver MOSFET DIP-14

2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w

D1535 Transistor NPN

Transistor bipolaire, PN2222ATFR, NPN 40 V 1 A
ContentCaractéristiques:
  • Configuration    Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum    120 A
  • Dimensions    15.6 x 4.7 x 20.6mm
  • Dissipation de puissance maximum    378 W
  • Hauteur    20.6mm
  • Largeur    4.7mm
  • Longueur    15.6mm
  • Nombre de broche    3
  • Température d'utilisation maximum    +150 °C
  • Température de fonctionnement minimum    -55 °C
  • Tension Collecteur Émetteur maximum    600 V
  • Tension Grille Émetteur maximum    ±20V
  • Type de boîtier    TO-247
  • Type de canal    N
  • Type de montage    Traversant

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V
Courant de collecteur DC: 4A
Gain en courant DC hFE: 750
Dissipation de puissance Pd: 40W
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-126

Weight000000
DimensionsNDNDNDNDNDND
Additional information
Select the fields to be shown. Others will be hidden. Drag and drop to rearrange the order.
  • Image
  • SKU
  • Rating
  • Price
  • Stock
  • Availability
  • Add to cart
  • Description
  • Content
  • Weight
  • Dimensions
  • Additional information
  • Attributes
  • Custom attributes
  • Custom fields
Click outside to hide the comparison bar
Compare