FGH60N60SFD IGBT, Canal-N 120A 600V A-247

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FGH60N60SFD  Transistor IGBT,  Canal-N, 120 A 600 V A-247, 3 broches

Description

Caractéristiques:

  • Configuration    Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum    120 A
  • Dimensions    15.6 x 4.7 x 20.6mm
  • Dissipation de puissance maximum    378 W
  • Hauteur    20.6mm
  • Largeur    4.7mm
  • Longueur    15.6mm
  • Nombre de broche    3
  • Température d’utilisation maximum    +150 °C
  • Température de fonctionnement minimum    -55 °C
  • Tension Collecteur Émetteur maximum    600 V
  • Tension Grille Émetteur maximum    ±20V
  • Type de boîtier    TO-247
  • Type de canal    N
  • Type de montage    Traversant

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SettingsFGH60N60SFD IGBT, Canal-N 120A 600V A-247 removeBC337-40,NPN 45V 800mA removeIR2110 Driver Mosfet DIP-14 removeBC338-16, NPN 25V 800mA remove2N3904 TRANSISTOR NPN TO-92 remove2N4401 40V Transistor NPN remove
ImageFGH60N60SFD Transistor IGBT, Canal-N, 120A 600V A-247, 3 brochesBC337-40, NPN 45V 800mAIR2110 Driver de mosfet DIP-14BC338-16, NPN 25V 800mA2N3904 TRANSISTOR NPN TO-922N4401 40V Transistor NPN
SKUC05A203C05A062C05A107C05A061C05A151C05A157
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DescriptionFGH60N60SFD  Transistor IGBT,  Canal-N, 120 A 600 V A-247, 3 broches

Transistor bipolaire, BC337-40, NPN 45V 800mA

Driver MOSFET DIP-14

Transistor bipolaire, BC338-16, NPN 25V 800mA

  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
  • Courant de collecteur DC: 200mA

2N4401 40V  Transistor NPN

ContentCaractéristiques:
  • Configuration    Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum    120 A
  • Dimensions    15.6 x 4.7 x 20.6mm
  • Dissipation de puissance maximum    378 W
  • Hauteur    20.6mm
  • Largeur    4.7mm
  • Longueur    15.6mm
  • Nombre de broche    3
  • Température d'utilisation maximum    +150 °C
  • Température de fonctionnement minimum    -55 °C
  • Tension Collecteur Émetteur maximum    600 V
  • Tension Grille Émetteur maximum    ±20V
  • Type de boîtier    TO-247
  • Type de canal    N
  • Type de montage    Traversant

Petits signaux NPN, 600 → 800 mA

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Petits signaux NPN, 600 → 800 mA

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
  • Courant de collecteur DC: 600mA
  • Nombre de broches: 3
  • Température de fonctionnement max..: 150°C
  • Polarité transistor: NPN
  • Type de boîtier de transistor: TO-92
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