BD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A

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NPN, 60 V, 40 W, 4 A

Description

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V
Courant de collecteur DC: 4A
Gain en courant DC hFE: 750
Dissipation de puissance Pd: 40W
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-126

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