FDS9926A MOSFET, Canal-N, 6,5A 20V SOIC, 8 broche

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Description

Caractéristiques:

Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 6,5 A
Tension Drain Source maximum 20 V
Type de boîtier SOIC
Type de montage CMS
Nombre de broches 8
Résistance Drain Source maximum 30 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille 0.6V
Dissipation de puissance maximum 2 W
Configuration du transistor Isolé
Tension Grille Source maximum -10 V, +10 V
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