FDS9926A MOSFET, Canal-N, 6,5A 20V SOIC, 8 broche

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Description

Caractéristiques:

Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 6,5 A
Tension Drain Source maximum 20 V
Type de boîtier SOIC
Type de montage CMS
Nombre de broches 8
Résistance Drain Source maximum 30 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille 0.6V
Dissipation de puissance maximum 2 W
Configuration du transistor Isolé
Tension Grille Source maximum -10 V, +10 V

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SettingsFDS9926A MOSFET, Canal-N, 6,5A 20V SOIC, 8 broche remove1.2A 600V Mosfet - Transistor MOSFET Canal-N removeTIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN remove17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 removeBC338-16, NPN 25V 800mA removeBC547A, NPN 45V 100mA remove
ImageTransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600VTIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3BC338-16, NPN 25V 800mABC547A, NPN 45V 100mA
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Description

5xTransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600V

Ce produit est vendu par packet de 5 unités.

Amps: 10
Voltage: 100
Package: TO-218
Nombre de terminaux: 3

MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3

Transistor bipolaire, BC338-16, NPN 25V 800mA

BC547A, NPN 45V 100mA

ContentCaractéristiques:
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 6,5 A
Tension Drain Source maximum 20 V
Type de boîtier SOIC
Type de montage CMS
Nombre de broches 8
Résistance Drain Source maximum 30 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille 0.6V
Dissipation de puissance maximum 2 W
Configuration du transistor Isolé
Tension Grille Source maximum -10 V, +10 V

Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A

 

MOSFET - Canal N

Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Une tension sur l'électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.

Maximum Ratings:
Collector-base voltage (IE = 0): 100V
Collector-emitter voltage (IB = 0): 100V
Emitter-base voltage (IC = 0): 5.0V
Collector current: 10A
Collector peak current: 20A
Base current: 0.5A

Applications: Linear and Switching Industrial Equipment

Courant de drain Id: 17A
Dissipation de puissance Pd: 227W
Tension Vds max..: 800V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.25ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal N
Tension, mesure Rds: 10V
Tension de seuil Vgs: 3V
Type de boîtier de transistor: TO-220

Petits signaux NPN, 600 → 800 mA

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Petit signal NPN, 100 mA, 40 → 45 V

 

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

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