FGA50T65SHD IGBT, 650 V, 50 A Field Stop Trench

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  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V
  • Maximum Gate Emitter Voltage: 30 V
  • Continuous Collector Current: 100 A
  • Package/Case: TO-3PN

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SettingsFGA50T65SHD IGBT, 650 V, 50 A Field Stop Trench removeNPN,BC546 removeBC547A, NPN 45V 100mA removeD1535 Transistor NPN remove17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 removeTIP122 5A 100V Transistor NPN remove
ImageTransistor bipolaire NPN, BC546BC547A, NPN 45V 100mAD1535 Transistor NPN17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3TIP122 5A 100V Transistor NPN
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Description
  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V
  • Maximum Gate Emitter Voltage: 30 V
  • Continuous Collector Current: 100 A
  • Package/Case: TO-3PN

5xTransistor bipolaire NPN, BC546

BC547A, NPN 45V 100mA

D1535 Transistor NPN

MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3

TIP122 5A 100V  Transistor NPN

Content

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Petit signal NPN, 100 mA, 40 → 45 V

 

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Courant de drain Id: 17A
Dissipation de puissance Pd: 227W
Tension Vds max..: 800V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.25ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal N
Tension, mesure Rds: 10V
Tension de seuil Vgs: 3V
Type de boîtier de transistor: TO-220

Package / Case TO-220
Current Rating 5A
Voltage Rated 100V
Transistor Type NPN

Weight00000
DimensionsNDNDNDNDNDND
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