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G160N60UFD Transistor IGBT 600V/160A TO-264
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- SGL160N60UFD
- Ultrafast IGBT
- Collector-Emitter Voltage: 600V
- Collector Current, TC = 25°C: 160A
Quick Comparison
| Settings | G160N60UFD Transistor IGBT 600V/160A TO-264 remove | PNP -30 V -100 mA remove | IRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V remove | TIP122 5A 100V Transistor NPN remove | BC548A, NPN 30V 100mA remove | Module IGBT QM20td-h304 remove |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Image |  |  |  |  |  |  |
| SKU | C05A339 | C05A068 | C05A189 | C05A154 | C05A122 | C05A175 |
| Rating | ||||||
| Price | 60.00د.م. | 3.50د.م. | 6.00د.م. | 5.00د.م. | 2.00د.م. | 350.00د.م. |
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|
| Availability | Out of stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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| Description |
| 5xTransistor bipolaire PNP -30 V -100 mA, TO-92, 3 broches | Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V | TIP122 5A 100V Transistor NPN | Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA |
|
| Content | Petit signal PNP, jusqu'à 100 mAPetit signal PNPLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P. | Courant de drain Id: 11A | Package / Case TO-220 | |||
| Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
| Additional information |
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