W45NM60, Transistor MOSFET, Canal-N, 45 A 600 V TO-247

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STW45NM60 45A 600V Canal-N

Description

Caractéristiques techniques:

  • Type de canal     N
  • Courant continu de Drain maximum     45 A
  • Tension Drain Source maximum     600 V
  • Résistance Drain Source maximum     110 mΩ
  • Tension de seuil maximale de la grille     5V
  • Tension de seuil minimale de la grille     3V
  • Tension Grille Source maximum     -30 V, +30 V
  • Type de boîtier     A-247
  • Type de montage     Traversant
  • Nombre de broche     3
  • Catégorie     MOSFET de puissance
  • Dissipation de puissance maximum     417 W

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SettingsW45NM60, Transistor MOSFET, Canal-N, 45 A 600 V TO-247 remove17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 removeModule IGBT QM20td-h304 remove0.5A dc 60V dc Mosfet - Transistor MOSFET Canal-N removeNPN,BC546 removeTIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN remove
ImageW45NM60, Transistor MOSFET, Canal-N, 45 A 600 V TO-24717N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3Transistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dcTransistor bipolaire NPN, BC546TIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN
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Description

STW45NM60 45A 600V Canal-N

MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3

  • MITSUBISHI
  • IC Collector current 20A
  • VCEX Collector-emitter voltage 600V

5xTransistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dc

Ce produit est vendu par packet de 5 unités.

5xTransistor bipolaire NPN, BC546

Amps: 10
Voltage: 100
Package: TO-218
Nombre de terminaux: 3

Content

Caractéristiques techniques:

  • Type de canal     N
  • Courant continu de Drain maximum     45 A
  • Tension Drain Source maximum     600 V
  • Résistance Drain Source maximum     110 mΩ
  • Tension de seuil maximale de la grille     5V
  • Tension de seuil minimale de la grille     3V
  • Tension Grille Source maximum     -30 V, +30 V
  • Type de boîtier     A-247
  • Type de montage     Traversant
  • Nombre de broche     3
  • Catégorie     MOSFET de puissance
  • Dissipation de puissance maximum     417 W

Courant de drain Id: 17A
Dissipation de puissance Pd: 227W
Tension Vds max..: 800V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.25ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal N
Tension, mesure Rds: 10V
Tension de seuil Vgs: 3V
Type de boîtier de transistor: TO-220

Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A

MOSFET - Canal N

Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Une tension sur l'électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Maximum Ratings:
Collector-base voltage (IE = 0): 100V
Collector-emitter voltage (IB = 0): 100V
Emitter-base voltage (IC = 0): 5.0V
Collector current: 10A
Collector peak current: 20A
Base current: 0.5A

Applications: Linear and Switching Industrial Equipment

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