IRF9540N, MOSFET, Canal-P 23A 100V TO-220AB

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Caractéristiques techniques:

Type de canal P
Courant continu de Drain maximum 23 A
Tension Drain Source maximum 100 V
Type de boîtier TO-220AB
Nombre de broches 3

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SettingsIRF9540N, MOSFET, Canal-P 23A 100V TO-220AB removeBC548A, NPN 30V 100mA removeTIP122 5A 100V Transistor NPN remove2N4403 Transistor PNP 40V 0.6A removeNPN,BC546 remove2N2222, NPN 40 V 1 A remove
ImageTransistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mATIP122 5A 100V Transistor NPN2N4403 40V Transistor PNPTransistor bipolaire NPN, BC546NPN 40V 1A, Amplificateur de puissance
SKUC05A506C05A122C05A154C05A158C05A064C05A063
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Description

Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA

TIP122 5A 100V  Transistor NPN

2N4403 40V  Transistor PNP

5xTransistor bipolaire NPN, BC546

Transistor bipolaire, PN2222ATFR, NPN 40 V 1 A
ContentCaractéristiques techniques:
Type de canal P
Courant continu de Drain maximum 23 A
Tension Drain Source maximum 100 V
Type de boîtier TO-220AB
Nombre de broches 3

Package / Case TO-220
Current Rating 5A
Voltage Rated 100V
Transistor Type NPN

  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
  • Courant de collecteur DC: 600mA
  • Nombre de broches: 3
  • Type de boîtier de transistor: TO-92

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

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