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IRF9540N, MOSFET, Canal-P 23A 100V TO-220AB
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Description
Caractéristiques techniques:
| Type de canal | P |
| Courant continu de Drain maximum | 23 A |
| Tension Drain Source maximum | 100 V |
| Type de boîtier | TO-220AB |
| Nombre de broches | 3 |
Quick Comparison
| Settings | IRF9540N, MOSFET, Canal-P 23A 100V TO-220AB remove | BC548A, NPN 30V 100mA remove | TIP122 5A 100V Transistor NPN remove | 2N4403 Transistor PNP 40V 0.6A remove | NPN,BC546 remove | 2N2222, NPN 40 V 1 A remove | ||||||||||
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| Image |  |  |  |  |  |  | ||||||||||
| SKU | C05A506 | C05A122 | C05A154 | C05A158 | C05A064 | C05A063 | ||||||||||
| Rating | ||||||||||||||||
| Price | 12.00د.م. | 2.00د.م. | 5.00د.م. | 1.50د.م. | 2.00د.م. | 1.00د.م. | ||||||||||
| Stock | In Stock
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| Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | ||||||||||
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| Description | Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA | TIP122 5A 100V Transistor NPN | 2N4403 40V Transistor PNP | 5xTransistor bipolaire NPN, BC546 | Transistor bipolaire, PN2222ATFR, NPN 40 V 1 A | |||||||||||
| Content | Caractéristiques techniques:
| Package / Case TO-220 |
| Petit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | ||||||||||||
| Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |||||||||||
| Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND | ||||||||||
| Additional information |
