IRFZ44N, MOSFET, Canal-N, 41 A 55 V TO-220-3
Description
Caractéristiques:
- Catégorie du produit: MOSFET
- Package/Boîte: TO-220-3
- Nombre de canaux: 1 Channel
- Polarité du transistor: N-Channel
- Vds – Tension de rupture drain-source: 55 V
- Id – Courant continu de fuite: 41 A
- Vgs – Tension grille-source: 20 V
Quick Comparison
Settings | IRFZ44N, MOSFET, Canal-N, 41 A 55 V TO-220-3 remove | 17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 remove | TIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN remove | BC548A, NPN 30V 100mA remove | BC337-40,NPN 45V 800mA remove | BC338-16, NPN 25V 800mA remove |
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Image | ||||||
SKU | C05A309 | C05A190 | C05A153 | C05A122 | C05A062 | C05A061 |
Rating | ||||||
Price | 7.00د.م. | 25.00د.م. | 6.00د.م. | 2.00د.م. | 1.00د.م. | 1.00د.م. |
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Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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Description | MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 | Amps: 10 | Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA | Transistor bipolaire, BC337-40, NPN 45V 800mA | Transistor bipolaire, BC338-16, NPN 25V 800mA | |
Content | Caractéristiques:
| Courant de drain Id: 17A | Maximum Ratings: | Petits signaux NPN, 600 → 800 mAPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | Petits signaux NPN, 600 → 800 mAPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | |
Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
Additional information |