IRFZ44N, MOSFET, Canal-N, 41 A 55 V TO-220-3

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Description

Caractéristiques:

  • Catégorie du produit:     MOSFET         
  • Package/Boîte:     TO-220-3    
  • Nombre de canaux:     1 Channel    
  • Polarité du transistor:     N-Channel    
  • Vds – Tension de rupture drain-source:     55 V    
  • Id – Courant continu de fuite:     41 A    
  • Vgs – Tension grille-source:     20 V

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SettingsIRFZ44N, MOSFET, Canal-N, 41 A 55 V TO-220-3 remove17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 removeTIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN removeBC548A, NPN 30V 100mA removeBC337-40,NPN 45V 800mA removeBC338-16, NPN 25V 800mA remove
ImageIRFZ44N, MOSFET, Canal-N, 41 A 55 V TO-220-317N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3TIP142 10A 100V Darlington Transistor NPNTransistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mABC337-40, NPN 45V 800mABC338-16, NPN 25V 800mA
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Description

MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3

Amps: 10
Voltage: 100
Package: TO-218
Nombre de terminaux: 3

Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA

Transistor bipolaire, BC337-40, NPN 45V 800mA

Transistor bipolaire, BC338-16, NPN 25V 800mA

Content

Caractéristiques:

  • Catégorie du produit:     MOSFET         
  • Package/Boîte:     TO-220-3    
  • Nombre de canaux:     1 Channel    
  • Polarité du transistor:     N-Channel    
  • Vds - Tension de rupture drain-source:     55 V    
  • Id - Courant continu de fuite:     41 A    
  • Vgs - Tension grille-source:     20 V

Courant de drain Id: 17A
Dissipation de puissance Pd: 227W
Tension Vds max..: 800V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.25ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal N
Tension, mesure Rds: 10V
Tension de seuil Vgs: 3V
Type de boîtier de transistor: TO-220

Maximum Ratings:
Collector-base voltage (IE = 0): 100V
Collector-emitter voltage (IB = 0): 100V
Emitter-base voltage (IC = 0): 5.0V
Collector current: 10A
Collector peak current: 20A
Base current: 0.5A

Applications: Linear and Switching Industrial Equipment

Petits signaux NPN, 600 → 800 mA

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Petits signaux NPN, 600 → 800 mA

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

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