IRLB3034PBF, MOSFET, Canal-N 343A 40V TO-220AB
Description
Caractéristiques:
- Type de canal N
- Courant continu de Drain maximum 343 A
- Tension Drain Source maximum 40 V
- Type de boîtier TO-220AB
Quick Comparison
Settings | IRLB3034PBF, MOSFET, Canal-N 343A 40V TO-220AB remove | BD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A remove | 2N3906, PNP -40 V -200 mA remove | 17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 remove | 2N4403 Transistor PNP 40V 0.6A remove | TIP122 5A 100V Transistor NPN remove |
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Image | ||||||
SKU | C05A507 | C05A191 | C05A067 | C05A190 | C05A158 | C05A154 |
Rating | ||||||
Price | 20.00د.م. | 7.00د.م. | 1.00د.م. | 25.00د.م. | 1.50د.م. | 5.00د.م. |
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Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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Description | NPN, 60 V, 40 W, 4 A | Transistor bipolaire, 2N3906, PNP -40 V -200 mA, TO-92, 3 broches | MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 | 2N4403 40V Transistor PNP | TIP122 5A 100V Transistor NPN | |
Content | Caractéristiques:
| Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V | Petit signal PNP, 150 → 400 mAPetit signal PNPLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P. | Courant de drain Id: 17A |
| Package / Case TO-220 |
Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
Additional information |