IRLB3034PBF, MOSFET, Canal-N 343A 40V TO-220AB

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Caractéristiques:

  • Type de canal N
  • Courant continu de Drain maximum 343 A
  • Tension Drain Source maximum 40 V
  • Type de boîtier TO-220AB

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SettingsIRLB3034PBF, MOSFET, Canal-N 343A 40V TO-220AB removeBD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A remove2N3906, PNP -40 V -200 mA remove17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 remove2N4403 Transistor PNP 40V 0.6A removeTIP122 5A 100V Transistor NPN remove
ImageBD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 APNP -40V -200mA17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-32N4403 40V Transistor PNPTIP122 5A 100V Transistor NPN
SKUC05A507C05A191C05A067C05A190C05A158C05A154
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Description

NPN, 60 V, 40 W, 4 A

Transistor bipolaire, 2N3906, PNP -40 V -200 mA,  TO-92, 3 broches

MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3

2N4403 40V  Transistor PNP

TIP122 5A 100V  Transistor NPN

ContentCaractéristiques:
  • Type de canal N
  • Courant continu de Drain maximum 343 A
  • Tension Drain Source maximum 40 V
  • Type de boîtier TO-220AB

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V
Courant de collecteur DC: 4A
Gain en courant DC hFE: 750
Dissipation de puissance Pd: 40W
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-126

Petit signal PNP, 150 → 400 mA

 

Petit signal PNP

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Courant de drain Id: 17A
Dissipation de puissance Pd: 227W
Tension Vds max..: 800V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.25ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal N
Tension, mesure Rds: 10V
Tension de seuil Vgs: 3V
Type de boîtier de transistor: TO-220

  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
  • Courant de collecteur DC: 600mA
  • Nombre de broches: 3
  • Type de boîtier de transistor: TO-92

Package / Case TO-220
Current Rating 5A
Voltage Rated 100V
Transistor Type NPN

Weight00000
DimensionsNDNDNDNDNDND
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