IRLB3034PBF, MOSFET, Canal-N 343A 40V TO-220AB

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SKU: C05A507 Categories: Transistor MOSFET, Transistors

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Caractéristiques:

Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 343 A
Tension Drain Source maximum 40 V
Type de boîtier TO-220AB

Quick Comparison

Settings	IRLB3034PBF, MOSFET, Canal-N 343A 40V TO-220AB remove	BD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A remove	2N3906, PNP -40 V -200 mA remove	17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 remove	2N4403 Transistor PNP 40V 0.6A remove	TIP122 5A 100V Transistor NPN remove
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Description		NPN, 60 V, 40 W, 4 A	Transistor bipolaire, 2N3906, PNP -40 V -200 mA, TO-92, 3 broches	MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3	2N4403 40V Transistor PNP	TIP122 5A 100V Transistor NPN
Content	Caractéristiques: Type de canal N Courant continu de Drain maximum 343 A Tension Drain Source maximum 40 V Type de boîtier TO-220AB	Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V Courant de collecteur DC: 4A Gain en courant DC hFE: 750 Dissipation de puissance Pd: 40W Nombre de broches: 3 Température de fonctionnement max..: 150°C Polarité transistor: NPN Type de boîtier de transistor: TO-126	Petit signal PNP, 150 → 400 mA Petit signal PNP Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P. Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.	Courant de drain Id: 17A Dissipation de puissance Pd: 227W Tension Vds max..: 800V Nombre de broches: 3 Résistance Rds(on): 0.25ohm Température de fonctionnement max..: 150°C Polarité transistor: Canal N Tension, mesure Rds: 10V Tension de seuil Vgs: 3V Type de boîtier de transistor: TO-220	Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V Courant de collecteur DC: 600mA Nombre de broches: 3 Type de boîtier de transistor: TO-92	Package / Case TO-220 Current Rating 5A Voltage Rated 100V Transistor Type NPN
Weight		0	0	0	0	0
Dimensions	ND	ND	ND	ND	ND	ND
Additional information

IRLB3034PBF, MOSFET, Canal-N 343A 40V TO-220AB

Description

Quick Comparison

Petit signal PNP, 150 → 400 mA

Petit signal PNP

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