MJ15003 – Transistors NPN – BJT 20A 140V 250W

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  • MJ15003G
  • Transistors NPN
  • Courant: 20A
  • Tension: 140V
  • Puissance: 250W
  • Bpoitier: TO-204AA

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SettingsMJ15003 - Transistors NPN - BJT 20A 140V 250W removeD1795 Transistor NPN 10A remove2N2222, NPN 40 V 1 A remove2N4401 40V Transistor NPN removePNP -30 V -100 mA removeModule IGBT QM20td-h304 remove
ImageMJ15003 - Transistors NPN - BJT 20A 140V 250WD1795 Transistor NPN 10ANPN 40V 1A, Amplificateur de puissance2N4401 40V Transistor NPNTransistor, Fairchild, BC559BTA
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Description
  • MJ15003G
  • Transistors NPN
  • Courant: 20A
  • Tension: 140V
  • Puissance: 250W
  • Bpoitier: TO-204AA

D1795 Transistor NPN 10A

Transistor bipolaire, PN2222ATFR, NPN 40 V 1 A

2N4401 40V  Transistor NPN

5xTransistor bipolaire  PNP -30 V -100 mA, TO-92, 3 broches

  • MITSUBISHI
  • IC Collector current 20A
  • VCEX Collector-emitter voltage 600V
Content
  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
  • Courant de collecteur DC: 600mA
  • Nombre de broches: 3
  • Température de fonctionnement max..: 150°C
  • Polarité transistor: NPN
  • Type de boîtier de transistor: TO-92

Petit signal PNP, jusqu'à 100 mA

 

Petit signal PNP

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

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