MJ15024G Transistor NPN 250V 16A TO-204

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Description

Caractéristiques:

  • Type de transistor     NPN
  • Courant continu de Collecteur maximum     16 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum     250 V
  • Type de boîtier     TO-204
  • Dissipation de puissance maximum     250 W
  • Gain en courant DC minimum     5
  • Tension Collecteur Base maximum     400 V
  • Tension Emetteur Base maximum     5 V
  • Fréquence de fonctionnement maximum     4 MHz
  • Nombre de broche     3

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ImageMJ15024G Transistor NPN 250V 16A TO-2042sc 5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200wTransistor bipolaire NPN, BC546NPN 40V 1A, Amplificateur de puissance2N4401 40V Transistor NPND1535 Transistor NPN
SKUC05A436C05A145C05A064C05A063C05A157C05A143
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Description

2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w

5xTransistor bipolaire NPN, BC546

Transistor bipolaire, PN2222ATFR, NPN 40 V 1 A

2N4401 40V  Transistor NPN

D1535 Transistor NPN

Content

Caractéristiques:

  • Type de transistor     NPN
  • Courant continu de Collecteur maximum     16 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum     250 V
  • Type de boîtier     TO-204
  • Dissipation de puissance maximum     250 W
  • Gain en courant DC minimum     5
  • Tension Collecteur Base maximum     400 V
  • Tension Emetteur Base maximum     5 V
  • Fréquence de fonctionnement maximum     4 MHz
  • Nombre de broche     3

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
  • Courant de collecteur DC: 600mA
  • Nombre de broches: 3
  • Température de fonctionnement max..: 150°C
  • Polarité transistor: NPN
  • Type de boîtier de transistor: TO-92
Weight000000
DimensionsNDNDNDNDNDND
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