STGWA40H65DFB2 G40H65DFB IGBT 40A 650V A-247 Émetteur commun

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G40H65DFB IGBT 40A 650V

Description

Courant continu de Collecteur maximum 40 A
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V
Tension Grille Emetteur maximum ±20V
Dissipation de puissance maximum 230 W
Nombre de transistors 1
Type de boîtier A-247
Type de canal N
Nombre de broches 3
Configuration du transistor Émetteur commun

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SettingsSTGWA40H65DFB2 G40H65DFB IGBT 40A 650V A-247 Émetteur commun removeG160N60UFD Transistor IGBT 600V/160A TO-264 removeFGH60N60SFD IGBT, Canal-N 120A 600V A-247 removePM20CSJ060 Transistor module IGBT, Canal N, 20A, 600 V removeL6386ED MOSFET/IGBT DRIVER, HIGHLOW SIDE, SOIC remove6MBI100S-060-50 IGBT MODULE 100A 600V remove
ImageG160N60UFD Transistor IGBT 600V/160A TO-264FGH60N60SFD Transistor IGBT, Canal-N, 120A 600V A-247, 3 brochesPM20CSJ060 Transistor module et réseau IGBT, Canal N, 20A, 1.8V, 56 W, 600 V6MBI100S-060-50 IGBT MODULE 100A 600V
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Description
G40H65DFB IGBT 40A 650V
  • SGL160N60UFD
  • Ultrafast IGBT
  • Collector-Emitter Voltage: 600V
  • Collector Current, TC = 25°C: 160A
FGH60N60SFD  Transistor IGBT,  Canal-N, 120 A 600 V A-247, 3 brochesPM20CSJ060  Transistor module et réseau IGBT
Content
Courant continu de Collecteur maximum 40 A
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V
Tension Grille Emetteur maximum ±20V
Dissipation de puissance maximum 230 W
Nombre de transistors 1
Type de boîtier A-247
Type de canal N
Nombre de broches 3
Configuration du transistor Émetteur commun
Caractéristiques:
  • Configuration    Simple
  • Courant continu de Collecteur maximum    120 A
  • Dimensions    15.6 x 4.7 x 20.6mm
  • Dissipation de puissance maximum    378 W
  • Hauteur    20.6mm
  • Largeur    4.7mm
  • Longueur    15.6mm
  • Nombre de broche    3
  • Température d'utilisation maximum    +150 °C
  • Température de fonctionnement minimum    -55 °C
  • Tension Collecteur Émetteur maximum    600 V
  • Tension Grille Émetteur maximum    ±20V
  • Type de boîtier    TO-247
  • Type de canal    N
  • Type de montage    Traversant
Spécifications:
  • Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on): 1.8V
  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 600V
  • Courant de collecteur DC: 20A
  • Dissipation de puissance Pd: 56W
  • Nombre de broches: 23
  • Température de fonctionnement max..: 150°C
  • Polarité transistor: Canal N
Caractéristiques techniques:
Nombre de drivers 2
Tension d'alimentation fonctionnement maximum 17 V
Topologie Demi-pont
Type de montage CMS
Courant de sortie crête 0.65A
Nombre de sorties 2
Polarité Sans inversion
Type de boîtier SOIC
Nombre de broches 14
Type de pont Demi-pont
Compatibilité de logique d'entrée CMOS, TTL
Dépendance High and Low Sides Indépendant
 
Weight0000
DimensionsNDNDNDNDNDND
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