TIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN

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Amps: 10
Voltage: 100
Package: TO-218
Nombre de terminaux: 3

Description

Maximum Ratings:
Collector-base voltage (IE = 0): 100V
Collector-emitter voltage (IB = 0): 100V
Emitter-base voltage (IC = 0): 5.0V
Collector current: 10A
Collector peak current: 20A
Base current: 0.5A

Applications: Linear and Switching Industrial Equipment

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SettingsTIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN removeBD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A removeC5707 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 A removeD1535 Transistor NPN removeBC337-40,NPN 45V 800mA remove1.2A 600V Mosfet - Transistor MOSFET Canal-N remove
ImageTIP142 10A 100V Darlington Transistor NPNBD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 AC5707 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 AD1535 Transistor NPNBC337-40, NPN 45V 800mATransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600V
SKUC05A153C05A191C05A188C05A143C05A062C05A071
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Description

Amps: 10
Voltage: 100
Package: TO-218
Nombre de terminaux: 3

NPN, 60 V, 40 W, 4 A

NPN, 50 V, 8A

D1535 Transistor NPN

Transistor bipolaire, BC337-40, NPN 45V 800mA

5xTransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600V

Ce produit est vendu par packet de 5 unités.

Content

Maximum Ratings:
Collector-base voltage (IE = 0): 100V
Collector-emitter voltage (IB = 0): 100V
Emitter-base voltage (IC = 0): 5.0V
Collector current: 10A
Collector peak current: 20A
Base current: 0.5A

Applications: Linear and Switching Industrial Equipment

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V
Courant de collecteur DC: 4A
Gain en courant DC hFE: 750
Dissipation de puissance Pd: 40W
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-126

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 50V
Courant de collecteur DC: 8A
Gain en courant DC hFE: 200
Dissipation de puissance Pd: 15W
Fréquence de transition ft: 330MHz
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-251

Petits signaux NPN, 600 → 800 mA

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A

 

MOSFET - Canal N

Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Une tension sur l'électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.

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