TIP31C Transistor bipolaire, NPN, 100 V, 3 A, A-220, 3 broches

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TIP31C 3A 100V  Transistor NPN

Description

Caractéristiques techniques:

  • Type de transistor    NPN
  • Courant continu de Collecteur maximum    3 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum    100 V
  • Type de boîtier    A-220
  • Type de montage    Traversant
  • Dissipation de puissance maximum    2 W
  • Gain en courant DC minimum    10
  • Configuration du transistor    Simple
  • Tension Collecteur Base maximum    100 V
  • Tension Emetteur Base maximum    5 V
  • Nombre de broche    3
  • Nombre d’éléments par circuit    1
  • Longueur    10.4mm
  • Largeur    4.6mm
  • Hauteur    9.15mm
  • Dimensions    9.15 x 10.4 x 4.6mm
  • Température de fonctionnement minimum    -65 °C
  • Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum    1,2 V

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SettingsTIP31C Transistor bipolaire, NPN, 100 V, 3 A, A-220, 3 broches removeModule IGBT QM20td-h304 removeTIP122 5A 100V Transistor NPN removeBD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A removeBC547A, NPN 45V 100mA remove17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 remove
ImageTIP31C Transistor bipolaire, NPN, 100 V, 3 A, A-220, 3 brochesTIP122 5A 100V Transistor NPNBD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 ABC547A, NPN 45V 100mA17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3
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Description

TIP31C 3A 100V  Transistor NPN

  • MITSUBISHI
  • IC Collector current 20A
  • VCEX Collector-emitter voltage 600V

TIP122 5A 100V  Transistor NPN

NPN, 60 V, 40 W, 4 A

BC547A, NPN 45V 100mA

MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3

Content

Caractéristiques techniques:

  • Type de transistor    NPN
  • Courant continu de Collecteur maximum    3 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum    100 V
  • Type de boîtier    A-220
  • Type de montage    Traversant
  • Dissipation de puissance maximum    2 W
  • Gain en courant DC minimum    10
  • Configuration du transistor    Simple
  • Tension Collecteur Base maximum    100 V
  • Tension Emetteur Base maximum    5 V
  • Nombre de broche    3
  • Nombre d'éléments par circuit    1
  • Longueur    10.4mm
  • Largeur    4.6mm
  • Hauteur    9.15mm
  • Dimensions    9.15 x 10.4 x 4.6mm
  • Température de fonctionnement minimum    -65 °C
  • Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum    1,2 V

Package / Case TO-220
Current Rating 5A
Voltage Rated 100V
Transistor Type NPN

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V
Courant de collecteur DC: 4A
Gain en courant DC hFE: 750
Dissipation de puissance Pd: 40W
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-126

Petit signal NPN, 100 mA, 40 → 45 V

 

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Courant de drain Id: 17A
Dissipation de puissance Pd: 227W
Tension Vds max..: 800V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.25ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal N
Tension, mesure Rds: 10V
Tension de seuil Vgs: 3V
Type de boîtier de transistor: TO-220

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DimensionsNDNDNDNDNDND
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