NPN,BC546

SKU: C05A064
In Stock
2.00د.م.
In Stock
Ajouter à la liste de souhaits
Ajouter à la liste de souhaits
Ajouter à la liste de souhaits
Ajouter à la liste de souhaits
Compare
SKU: C05A064 Categories: ,

5xTransistor bipolaire NPN, BC546

Description

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu’à 1 000 mA, et l’alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Quick Comparison

SettingsNPN,BC546 remove2N3906, PNP -40 V -200 mA removeModule IGBT QM20td-h304 removeFGH40N60SFD IGBT Canal-N 80A 600V removeIRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V removeG15N60 - Transistor IGBT 15A 600V remove
ImageTransistor bipolaire NPN, BC546PNP -40V -200mAFGH40N60SFD Transistor simple IGBT, General Purpose, 80 A, 600 VIRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 VG15N60 - Transistor IGBT 15A 600V
SKUC05A064C05A067C05A175C05A194C05A189C05A177
Rating
Price2.00د.م.1.00د.م.350.00د.م.50.00د.م.6.00د.م.30.00د.م.
Stock
In Stock
In Stock
In Stock
In Stock
In Stock
In Stock
AvailabilityIn StockIn StockIn StockIn StockIn StockIn Stock
Add to cart

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Ajouter au panier

Description

5xTransistor bipolaire NPN, BC546

Transistor bipolaire, 2N3906, PNP -40 V -200 mA,  TO-92, 3 broches

  • MITSUBISHI
  • IC Collector current 20A
  • VCEX Collector-emitter voltage 600V
  • FGH40N60SFDTU Transistor IGBT Canal-N 80A 600V

Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V

Applications:

AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.

Content

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Petit signal PNP, 150 → 400 mA

 

Petit signal PNP

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Caractéristiques:
  • Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on): 600V
  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 600V
  • Courant de collecteur DC: 80A
  • Dissipation de puissance Pd: 349W
  • Nombre de broches: 3
  • Type de boîtier de transistor: TO-247AB

Courant de drain Id: 11A
Dissipation de puissance Pd: 38W
Tension Vds max..: 55V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.175ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal P
Tension, mesure Rds: -10V
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Tension de seuil Vgs: -4V
Type de boîtier de transistor: TO-251AA

Weight000000
DimensionsNDNDNDNDNDND
Additional information
Select the fields to be shown. Others will be hidden. Drag and drop to rearrange the order.
  • Image
  • SKU
  • Rating
  • Price
  • Stock
  • Availability
  • Add to cart
  • Description
  • Content
  • Weight
  • Dimensions
  • Additional information
  • Attributes
  • Custom attributes
  • Custom fields
Click outside to hide the comparison bar
Compare