BC337-40,NPN 45V 800mA
Transistor bipolaire, BC337-40, NPN 45V 800mA
Description
Petits signaux NPN, 600 → 800 mA
Petit signal NPN
Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu’à 1 000 mA, et l’alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.
Quick Comparison
Settings | BC337-40,NPN 45V 800mA remove | BD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A remove | 0.5A dc 60V dc Mosfet - Transistor MOSFET Canal-N remove | BC548A, NPN 30V 100mA remove | NPN,BC546 remove | 2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w remove |
---|---|---|---|---|---|---|
Image | ||||||
SKU | C05A062 | C05A191 | C05A070 | C05A122 | C05A064 | C05A145 |
Rating | ||||||
Price | 1.00د.م. | 7.00د.م. | 8.50د.م. | 2.00د.م. | 2.00د.م. | 25.00د.م. |
Stock | In Stock
| In Stock
| In Stock
| In Stock
| In Stock
| In Stock
|
Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
Add to cart | ||||||
Description | Transistor bipolaire, BC337-40, NPN 45V 800mA | NPN, 60 V, 40 W, 4 A | 5xTransistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dc Ce produit est vendu par packet de 5 unités. | Transistor bipolaire, BC548A, NPN 30V 100mA | 5xTransistor bipolaire NPN, BC546 | 2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w |
Content | Petits signaux NPN, 600 → 800 mAPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V | Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 AMOSFET - Canal NLe transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. | Petit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | ||
Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
Additional information |