VS-FB190SA10, Transistor MOSFET, Canal-N, 190 A 100 V

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VS-FB190SA10, Transistor MOSFET, Canal-N, 190 A 100 V SOT-227, 4 broches

Description

Caractéristiques techniques:

  • Type de canal    N
  • Courant continu de Drain maximum    190 A
  • Tension Drain Source maximum    100 V
  • Résistance Drain Source maximum    0,0065 Ω
  • Tension de seuil minimale de la grille    2V
  • Tension Grille Source maximum    ±20 V
  • Type de boîtier    SOT-227
  • Type de montage    CMS
  • Nombre de broche    4
  • Mode canal    Enrichissement
  • Catégorie    MOSFET de puissance
  • Dissipation de puissance maximum    568 W
  • Configuration    Double source
  • Retard au blocage typique    181 ns
  • Capacitance d’entrée typique @ Vds    10700 pF @ 25 V
  • Charge de Grille type @ Vgs    250 nC @ 10 V
  • Hauteur    12.3mm
  • Retard à la conduction typique    45 ns
  • Température de fonctionnement minimum    -55 °C
  • Largeur    25.7mm
  • Température d’utilisation maximum    +150 °C
  • Longueur    38.3mm
  • Dimensions    38.3 x 25.7 x 12.3mm
  • Nombre d’éléments par circuit    1
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