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2SK3878, MOSFET, Canal-N, 9 A 900 V TO-3PN, 3 broches
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k3878
Description
Caractéristiques techniques:
- Type de canal N
- Courant continu de Drain maximum 9 A
- Tension Drain Source maximum 900 V
- Résistance Drain Source maximum 1,3 Ω
- Tension de seuil maximale de la grille 4V
- Tension Grille Source maximum ±30 V
- Type de boîtier TO-3PN
- Type de montage Traversant
- Configuration du transistor Simple
- Nombre de broche 3
- Mode canal Enrichissement
- Catégorie MOSFET de puissance
- Dissipation de puissance maximum 150 W
- Matériau du transistor Si
- Température de fonctionnement minimum -55 °C
- Charge de Grille type @ Vgs 60 nC @ 10 V
- Capacitance d’entrée typique @ Vds 2 200 pF @ 25 V
- Température d’utilisation maximum +150 °C
- Hauteur 19mm
- Longueur 15.9mm
- Nombre d’éléments par circuit 1
- Largeur 4.8mm
- Dimensions 15.9 x 4.8 x 19mm
Quick Comparison
Settings | 2SK3878, MOSFET, Canal-N, 9 A 900 V TO-3PN, 3 broches remove | 2N2222, NPN 40 V 1 A remove | BD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A remove | NPN,BC546 remove | C5707 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 A remove | 17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 remove |
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Image | ||||||
SKU | C05A299 | C05A063 | C05A191 | C05A064 | C05A188 | C05A190 |
Rating | ||||||
Price | 30.00د.م. | 1.00د.م. | 7.00د.م. | 2.00د.م. | 6.00د.م. | 25.00د.م. |
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Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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Description | k3878 | Transistor bipolaire, PN2222ATFR, NPN 40 V 1 A | NPN, 60 V, 40 W, 4 A | 5xTransistor bipolaire NPN, BC546 | NPN, 50 V, 8A | MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 |
Content | Caractéristiques techniques:
| Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V | Petit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 50V | Courant de drain Id: 17A | |
Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
Additional information |