2SK3878, MOSFET, Canal-N, 9 A 900 V TO-3PN, 3 broches

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k3878

Description

Caractéristiques techniques:

  • Type de canal    N
  • Courant continu de Drain maximum    9 A
  • Tension Drain Source maximum    900 V
  • Résistance Drain Source maximum    1,3 Ω
  • Tension de seuil maximale de la grille    4V
  • Tension Grille Source maximum    ±30 V
  • Type de boîtier    TO-3PN
  • Type de montage    Traversant
  • Configuration du transistor    Simple
  • Nombre de broche    3
  • Mode canal    Enrichissement
  • Catégorie    MOSFET de puissance
  • Dissipation de puissance maximum    150 W
  • Matériau du transistor    Si
  • Température de fonctionnement minimum    -55 °C
  • Charge de Grille type @ Vgs    60 nC @ 10 V
  • Capacitance d’entrée typique @ Vds    2 200 pF @ 25 V
  • Température d’utilisation maximum    +150 °C
  • Hauteur    19mm
  • Longueur    15.9mm
  • Nombre d’éléments par circuit    1
  • Largeur    4.8mm
  • Dimensions    15.9 x 4.8 x 19mm

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Settings2SK3878, MOSFET, Canal-N, 9 A 900 V TO-3PN, 3 broches remove2N2222, NPN 40 V 1 A removeBD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A removeNPN,BC546 removeC5707 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 A remove17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 remove
Image2SK3878, MOSFET, Canal-N, 9 A 900 V TO-3PN, 3 brochesNPN 40V 1A, Amplificateur de puissanceBD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 ATransistor bipolaire NPN, BC546C5707 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 A17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3
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Description

k3878

Transistor bipolaire, PN2222ATFR, NPN 40 V 1 A

NPN, 60 V, 40 W, 4 A

5xTransistor bipolaire NPN, BC546

NPN, 50 V, 8A

MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3

Content

Caractéristiques techniques:

  • Type de canal    N
  • Courant continu de Drain maximum    9 A
  • Tension Drain Source maximum    900 V
  • Résistance Drain Source maximum    1,3 Ω
  • Tension de seuil maximale de la grille    4V
  • Tension Grille Source maximum    ±30 V
  • Type de boîtier    TO-3PN
  • Type de montage    Traversant
  • Configuration du transistor    Simple
  • Nombre de broche    3
  • Mode canal    Enrichissement
  • Catégorie    MOSFET de puissance
  • Dissipation de puissance maximum    150 W
  • Matériau du transistor    Si
  • Température de fonctionnement minimum    -55 °C
  • Charge de Grille type @ Vgs    60 nC @ 10 V
  • Capacitance d'entrée typique @ Vds    2 200 pF @ 25 V
  • Température d'utilisation maximum    +150 °C
  • Hauteur    19mm
  • Longueur    15.9mm
  • Nombre d'éléments par circuit    1
  • Largeur    4.8mm
  • Dimensions    15.9 x 4.8 x 19mm

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V
Courant de collecteur DC: 4A
Gain en courant DC hFE: 750
Dissipation de puissance Pd: 40W
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-126

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 50V
Courant de collecteur DC: 8A
Gain en courant DC hFE: 200
Dissipation de puissance Pd: 15W
Fréquence de transition ft: 330MHz
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-251

Courant de drain Id: 17A
Dissipation de puissance Pd: 227W
Tension Vds max..: 800V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.25ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal N
Tension, mesure Rds: 10V
Tension de seuil Vgs: 3V
Type de boîtier de transistor: TO-220

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