2SK3878, MOSFET, Canal-N, 9 A 900 V TO-3PN, 3 broches

Caractéristiques techniques:

• Type de canal    N
• Courant continu de Drain maximum    9 A
• Tension Drain Source maximum    900 V
• Résistance Drain Source maximum    1,3 Ω
• Tension de seuil maximale de la grille    4V
• Tension Grille Source maximum    ±30 V
• Type de boîtier    TO-3PN
• Type de montage    Traversant
• Configuration du transistor    Simple
• Nombre de broche    3
• Mode canal    Enrichissement
• Catégorie    MOSFET de puissance
• Dissipation de puissance maximum    150 W
• Matériau du transistor    Si
• Température de fonctionnement minimum    -55 °C
• Charge de Grille type @ Vgs    60 nC @ 10 V
• Capacitance d'entrée typique @ Vds    2 200 pF @ 25 V
• Température d'utilisation maximum    +150 °C
• Hauteur    19mm
• Longueur    15.9mm
• Nombre d'éléments par circuit    1
• Largeur    4.8mm
• Dimensions    15.9 x 4.8 x 19mm

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V
Courant de collecteur DC: 4A
Gain en courant DC hFE: 750
Dissipation de puissance Pd: 40W
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-126

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 50V
Courant de collecteur DC: 8A
Gain en courant DC hFE: 200
Dissipation de puissance Pd: 15W
Fréquence de transition ft: 330MHz
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-251

Courant de drain Id: 17A
Dissipation de puissance Pd: 227W
Tension Vds max..: 800V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.25ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal N
Tension, mesure Rds: 10V
Tension de seuil Vgs: 3V
Type de boîtier de transistor: TO-220