47N60C3 MOSFET Canal-N 47A 650V A-247

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SPW47N60C3FKSA1 MOSFET Canal-N 47A 650V A-247

Description

Caractéristiques:

  • Type de canal     N
  • Courant continu de Drain maximum     47A
  • Tension Drain Source maximum     650V
  • Résistance Drain Source maximum     70 mΩ
  • Tension de seuil maximale de la grille     3.9V
  • Tension de seuil minimale de la grille     2.1V
  • Tension Grille Source maximum     -20 V, +20 V
  • Type de boîtier     A-247
  • Type de montage     Traversant
  • Configuration du transistor     Simple
  • Nombre de broche     3
  • Catégorie     MOSFET de puissance
  • Dissipation de puissance maximum     415W

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Settings47N60C3 MOSFET Canal-N 47A 650V A-247 removeBC338-16, NPN 25V 800mA removeC5707 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 A removeD1795 Transistor NPN 10A removeBD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A remove2N3904 TRANSISTOR NPN TO-92 remove
Image47N60C3 MOSFET Canal-N 47A 650V A-247BC338-16, NPN 25V 800mAC5707 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 AD1795 Transistor NPN 10ABD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A2N3904 TRANSISTOR NPN TO-92
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Description

SPW47N60C3FKSA1 MOSFET Canal-N 47A 650V A-247

Transistor bipolaire, BC338-16, NPN 25V 800mA

NPN, 50 V, 8A

D1795 Transistor NPN 10A

NPN, 60 V, 40 W, 4 A

  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
  • Courant de collecteur DC: 200mA
Content

Caractéristiques:

  • Type de canal     N
  • Courant continu de Drain maximum     47A
  • Tension Drain Source maximum     650V
  • Résistance Drain Source maximum     70 mΩ
  • Tension de seuil maximale de la grille     3.9V
  • Tension de seuil minimale de la grille     2.1V
  • Tension Grille Source maximum     -20 V, +20 V
  • Type de boîtier     A-247
  • Type de montage     Traversant
  • Configuration du transistor     Simple
  • Nombre de broche     3
  • Catégorie     MOSFET de puissance
  • Dissipation de puissance maximum     415W

Petits signaux NPN, 600 → 800 mA

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 50V
Courant de collecteur DC: 8A
Gain en courant DC hFE: 200
Dissipation de puissance Pd: 15W
Fréquence de transition ft: 330MHz
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-251

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V
Courant de collecteur DC: 4A
Gain en courant DC hFE: 750
Dissipation de puissance Pd: 40W
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-126

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