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47N60C3 MOSFET Canal-N 47A 650V A-247
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SPW47N60C3FKSA1 MOSFET Canal-N 47A 650V A-247
Description
Caractéristiques:
- Type de canal N
- Courant continu de Drain maximum 47A
- Tension Drain Source maximum 650V
- Résistance Drain Source maximum 70 mΩ
- Tension de seuil maximale de la grille 3.9V
- Tension de seuil minimale de la grille 2.1V
- Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
- Type de boîtier A-247
- Type de montage Traversant
- Configuration du transistor Simple
- Nombre de broche 3
- Catégorie MOSFET de puissance
- Dissipation de puissance maximum 415W
Quick Comparison
Settings | 47N60C3 MOSFET Canal-N 47A 650V A-247 remove | BC338-16, NPN 25V 800mA remove | C5707 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 A remove | D1795 Transistor NPN 10A remove | BD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A remove | 2N3904 TRANSISTOR NPN TO-92 remove |
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SKU | C05A441 | C05A061 | C05A188 | C05A144 | C05A191 | C05A151 |
Rating | ||||||
Price | 60.00د.م. | 1.00د.م. | 6.00د.م. | 20.00د.م. | 7.00د.م. | 2.00د.م. |
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Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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Description | SPW47N60C3FKSA1 MOSFET Canal-N 47A 650V A-247 | Transistor bipolaire, BC338-16, NPN 25V 800mA | NPN, 50 V, 8A | D1795 Transistor NPN 10A | NPN, 60 V, 40 W, 4 A |
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Content | Caractéristiques:
| Petits signaux NPN, 600 → 800 mAPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 50V | Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V | ||
Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
Additional information |