IRF840, MOSFET, Canal-N, 8A 500V TO-220

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IRF840 Transistor MOSFET canal N, 500 V 8A

Description

Caractéristiques:

  • Type de canal     N
  • Courant continu de Drain maximum     8 A
  • Tension Drain Source maximum     500 V
  • Type de boîtier     TO-220AB

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SettingsIRF840, MOSFET, Canal-N, 8A 500V TO-220 removeD1535 Transistor NPN removeTIP122 5A 100V Transistor NPN removeIR2110 Driver Mosfet DIP-14 removeTIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN removeIRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V remove
ImageD1535 Transistor NPNTIP122 5A 100V Transistor NPNIR2110 Driver de mosfet DIP-14TIP142 10A 100V Darlington Transistor NPNIRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V
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DescriptionIRF840 Transistor MOSFET canal N, 500 V 8A

D1535 Transistor NPN

TIP122 5A 100V  Transistor NPN

Driver MOSFET DIP-14

Amps: 10
Voltage: 100
Package: TO-218
Nombre de terminaux: 3

Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V

ContentCaractéristiques:
  • Type de canal     N
  • Courant continu de Drain maximum     8 A
  • Tension Drain Source maximum     500 V
  • Type de boîtier     TO-220AB

Package / Case TO-220
Current Rating 5A
Voltage Rated 100V
Transistor Type NPN

Maximum Ratings:
Collector-base voltage (IE = 0): 100V
Collector-emitter voltage (IB = 0): 100V
Emitter-base voltage (IC = 0): 5.0V
Collector current: 10A
Collector peak current: 20A
Base current: 0.5A

Applications: Linear and Switching Industrial Equipment

Courant de drain Id: 11A
Dissipation de puissance Pd: 38W
Tension Vds max..: 55V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.175ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal P
Tension, mesure Rds: -10V
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Tension de seuil Vgs: -4V
Type de boîtier de transistor: TO-251AA

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DimensionsNDNDNDNDNDND
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