7MBR30SA060-50 600V 30A IGBT MODULE
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Settings | 7MBR30SA060-50 600V 30A IGBT MODULE remove | 0.5A dc 60V dc Mosfet - Transistor MOSFET Canal-N remove | 2N3906, PNP -40 V -200 mA remove | G15N60 - Transistor IGBT 15A 600V remove | C5707 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 A remove | BC337-40,NPN 45V 800mA remove |
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Image | ||||||
SKU | C05A559 | C05A070 | C05A067 | C05A177 | C05A188 | C05A062 |
Rating | ||||||
Price | 450.00د.م. | 8.50د.م. | 1.00د.م. | 30.00د.م. | 6.00د.م. | 1.00د.م. |
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Description | 5xTransistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dc Ce produit est vendu par packet de 5 unités. | Transistor bipolaire, 2N3906, PNP -40 V -200 mA, TO-92, 3 broches | Applications: AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls. | NPN, 50 V, 8A | Transistor bipolaire, BC337-40, NPN 45V 800mA | |
Content | Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 AMOSFET - Canal NLe transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. | Petit signal PNP, 150 → 400 mAPetit signal PNPLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P. | Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 50V | Petits signaux NPN, 600 → 800 mAPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | ||
Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
Additional information |