BU808DFI Transistors Darlington NPN TO-3P

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  • Polarité du transistor:     NPN   
  • Collecteur – Tension de l’émetteur VCEO max.:     700 V    
  • Émetteur – Tension de base VEBO:     5 V    
  • Collecteur – Tension de base VCBO:     1400 V    
  • Courant CC max. du collecteur:     8 A    
  • Pd – Dissipation d’énergie :     52 W

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SettingsBU808DFI Transistors Darlington NPN TO-3P removeTIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN remove2N3906, PNP -40 V -200 mA remove2N4403 Transistor PNP 40V 0.6A removeNPN,BC546 removeBC547A, NPN 45V 100mA remove
ImageBU808DFI Transistors Darlington NPN TO-3PTIP142 10A 100V Darlington Transistor NPNPNP -40V -200mA2N4403 40V Transistor PNPTransistor bipolaire NPN, BC546BC547A, NPN 45V 100mA
SKUC05A308C05A153C05A067C05A158C05A064C05A065
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Description
  • Polarité du transistor:     NPN   
  • Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:     700 V    
  • Émetteur - Tension de base VEBO:     5 V    
  • Collecteur - Tension de base VCBO:     1400 V    
  • Courant CC max. du collecteur:     8 A    
  • Pd - Dissipation d’énergie :     52 W

Amps: 10
Voltage: 100
Package: TO-218
Nombre de terminaux: 3

Transistor bipolaire, 2N3906, PNP -40 V -200 mA,  TO-92, 3 broches

2N4403 40V  Transistor PNP

5xTransistor bipolaire NPN, BC546

BC547A, NPN 45V 100mA

Content

Maximum Ratings:
Collector-base voltage (IE = 0): 100V
Collector-emitter voltage (IB = 0): 100V
Emitter-base voltage (IC = 0): 5.0V
Collector current: 10A
Collector peak current: 20A
Base current: 0.5A

Applications: Linear and Switching Industrial Equipment

Petit signal PNP, 150 → 400 mA

 

Petit signal PNP

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
  • Courant de collecteur DC: 600mA
  • Nombre de broches: 3
  • Type de boîtier de transistor: TO-92

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Petit signal NPN, 100 mA, 40 → 45 V

 

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

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