BU808DFI Transistors Darlington NPN TO-3P
- Polarité du transistor: NPN
- Collecteur – Tension de l’émetteur VCEO max.: 700 V
- Émetteur – Tension de base VEBO: 5 V
- Collecteur – Tension de base VCBO: 1400 V
- Courant CC max. du collecteur: 8 A
- Pd – Dissipation d’énergie : 52 W
Quick Comparison
Settings | BU808DFI Transistors Darlington NPN TO-3P remove | TIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN remove | 2N3906, PNP -40 V -200 mA remove | 2N4403 Transistor PNP 40V 0.6A remove | NPN,BC546 remove | BC547A, NPN 45V 100mA remove |
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Image | ||||||
SKU | C05A308 | C05A153 | C05A067 | C05A158 | C05A064 | C05A065 |
Rating | ||||||
Price | 20.00د.م. | 6.00د.م. | 1.00د.م. | 1.50د.م. | 2.00د.م. | 1.00د.م. |
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Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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Description |
| Amps: 10 | Transistor bipolaire, 2N3906, PNP -40 V -200 mA, TO-92, 3 broches | 2N4403 40V Transistor PNP | 5xTransistor bipolaire NPN, BC546 | BC547A, NPN 45V 100mA |
Content | Maximum Ratings: | Petit signal PNP, 150 → 400 mAPetit signal PNPLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P. |
| Petit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | Petit signal NPN, 100 mA, 40 → 45 VPetit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. | |
Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
Additional information |