BS170 MOSFET, Canal-N, 500 mA 60V TO-92

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MOSFET, Canal-N, 500 mA 60V

Description

Caractéristiques:

  • Type de canal     N
  • Courant continu de Drain maximum     500 mA
  • Tension Drain Source maximum     60 V
  • Type de boîtier     TO-92
  • Type de montage     Traversant
  • Nombre de broche     3
  • Résistance Drain Source maximum     5 Ω
  • Tension de seuil maximale de la grille     3V
  • Tension de seuil minimale de la grille     0.8V

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SettingsBS170 MOSFET, Canal-N, 500 mA 60V TO-92 remove17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 removePNP -30 V -100 mA remove2N3906, PNP -40 V -200 mA remove1.2A 600V Mosfet - Transistor MOSFET Canal-N removeModule IGBT QM20td-h304 remove
ImageBS170 MOSFET, Canal-N, 500 mA 60V TO-9217N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3Transistor, Fairchild, BC559BTAPNP -40V -200mATransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600V
SKUC05A462C05A190C05A068C05A067C05A071C05A175
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DescriptionMOSFET, Canal-N, 500 mA 60V

MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3

5xTransistor bipolaire  PNP -30 V -100 mA, TO-92, 3 broches

Transistor bipolaire, 2N3906, PNP -40 V -200 mA,  TO-92, 3 broches

5xTransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600V

Ce produit est vendu par packet de 5 unités.

  • MITSUBISHI
  • IC Collector current 20A
  • VCEX Collector-emitter voltage 600V
ContentCaractéristiques:
  • Type de canal     N
  • Courant continu de Drain maximum     500 mA
  • Tension Drain Source maximum     60 V
  • Type de boîtier     TO-92
  • Type de montage     Traversant
  • Nombre de broche     3
  • Résistance Drain Source maximum     5 Ω
  • Tension de seuil maximale de la grille     3V
  • Tension de seuil minimale de la grille     0.8V

Courant de drain Id: 17A
Dissipation de puissance Pd: 227W
Tension Vds max..: 800V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.25ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal N
Tension, mesure Rds: 10V
Tension de seuil Vgs: 3V
Type de boîtier de transistor: TO-220

Petit signal PNP, jusqu'à 100 mA

 

Petit signal PNP

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Petit signal PNP, 150 → 400 mA

 

Petit signal PNP

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A

 

MOSFET - Canal N

Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Une tension sur l'électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.

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