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BS170 MOSFET, Canal-N, 500 mA 60V TO-92
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MOSFET, Canal-N, 500 mA 60V
Description
Caractéristiques:
- Type de canal N
- Courant continu de Drain maximum 500 mA
- Tension Drain Source maximum 60 V
- Type de boîtier TO-92
- Type de montage Traversant
- Nombre de broche 3
- Résistance Drain Source maximum 5 Ω
- Tension de seuil maximale de la grille 3V
- Tension de seuil minimale de la grille 0.8V
Quick Comparison
Settings | BS170 MOSFET, Canal-N, 500 mA 60V TO-92 remove | 17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 remove | PNP -30 V -100 mA remove | 2N3906, PNP -40 V -200 mA remove | 1.2A 600V Mosfet - Transistor MOSFET Canal-N remove | Module IGBT QM20td-h304 remove |
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Image | ||||||
SKU | C05A462 | C05A190 | C05A068 | C05A067 | C05A071 | C05A175 |
Rating | ||||||
Price | 3.00د.م. | 25.00د.م. | 3.50د.م. | 1.00د.م. | 74.50د.م. | 350.00د.م. |
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Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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Description | MOSFET, Canal-N, 500 mA 60V | MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 | 5xTransistor bipolaire PNP -30 V -100 mA, TO-92, 3 broches | Transistor bipolaire, 2N3906, PNP -40 V -200 mA, TO-92, 3 broches | 5xTransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600V Ce produit est vendu par packet de 5 unités. |
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Content | Caractéristiques:
| Courant de drain Id: 17A | Petit signal PNP, jusqu'à 100 mAPetit signal PNPLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P. | Petit signal PNP, 150 → 400 mAPetit signal PNPLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P. | Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 AMOSFET - Canal NLe transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. | |
Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
Additional information |