BU2527DX – Transistors NPN + diode 1500V 12A 45W

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  • Type de transistor     NPN    
  • Polarisation     bipolaire    
  • Tensions collecteur-émetteur     1.5kV    
  • Courant du collecteur     12A    
  • Puissance     45W    
  • Boîtier     SOT399

Description

Parameters:

  • Collector-emitter voltage peak value            1500v (Max.)
  • Collector-emitter voltage (open base)            800v (Max.)
  • Collector current (DC)                                     12A (Max.)
  • Collector current peak value                           30A (Max.)
  • Total power dissipation                                  45W (Max.)
  • Collector-emitter saturation voltage                  5V (Max.)
  • Collector saturation current                            6A (typical)


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SettingsBU2527DX - Transistors NPN + diode 1500V 12A 45W removeModule IGBT QM20td-h304 remove2N4401 40V Transistor NPN removeBD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A remove0.5A dc 60V dc Mosfet - Transistor MOSFET Canal-N removeTIP122 5A 100V Transistor NPN remove
ImageBU2527DX - Transistors NPN + diode 1500V 12A 45W2N4401 40V Transistor NPNBD679 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 ATransistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dcTIP122 5A 100V Transistor NPN
SKUC05A370C05A175C05A157C05A191C05A070C05A154
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Price25.00د.م.350.00د.م.1.50د.م.7.00د.م.8.50د.م.5.00د.م.
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Description
  • Type de transistor     NPN    
  • Polarisation     bipolaire    
  • Tensions collecteur-émetteur     1.5kV    
  • Courant du collecteur     12A    
  • Puissance     45W    
  • Boîtier     SOT399
  • MITSUBISHI
  • IC Collector current 20A
  • VCEX Collector-emitter voltage 600V

2N4401 40V  Transistor NPN

NPN, 60 V, 40 W, 4 A

5xTransistor MOSFETCanal-N, 0.5A dc 60V dc

Ce produit est vendu par packet de 5 unités.

TIP122 5A 100V  Transistor NPN

Content

Parameters:

  • Collector-emitter voltage peak value            1500v (Max.)
  • Collector-emitter voltage (open base)            800v (Max.)
  • Collector current (DC)                                     12A (Max.)
  • Collector current peak value                           30A (Max.)
  • Total power dissipation                                  45W (Max.)
  • Collector-emitter saturation voltage                  5V (Max.)
  • Collector saturation current                            6A (typical)


  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
  • Courant de collecteur DC: 600mA
  • Nombre de broches: 3
  • Température de fonctionnement max..: 150°C
  • Polarité transistor: NPN
  • Type de boîtier de transistor: TO-92

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 60V
Courant de collecteur DC: 4A
Gain en courant DC hFE: 750
Dissipation de puissance Pd: 40W
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-126

Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A

MOSFET - Canal N

Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Une tension sur l'électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.

Package / Case TO-220
Current Rating 5A
Voltage Rated 100V
Transistor Type NPN

Weight000000
DimensionsNDNDNDNDNDND
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