FQP50N06, Transistor MOSFET, Canal-N, 50 A 60 V TO-220

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Canal-N, 50 A 60 V

Description

Caractéristiques techniques:

  • Type de canal    N
  • Courant continu de Drain maximum    50 A
  • Tension Drain Source maximum    60 V
  • Résistance Drain Source maximum    0,022 Ω
  • Tension de seuil maximale de la grille    4V
  • Tension de seuil minimale de la grille    2V
  • Tension Grille Source maximum    ±25 V
  • Type de boîtier    TO-220AB
  • Type de montage    Traversant
  • Nombre de broche    3
  • Catégorie    MOSFET de puissance
  • Dissipation de puissance maximum    120 W
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