FQPF8N60, Transistor MOSFET, Canal-N, 7,5 A 600 V TO-220F, 3 broches

Description

Caractéristiques techniques:

• Type de canal    N
• Courant continu de Drain maximum    7,5 A
• Tension Drain Source maximum    600 V
• Résistance Drain Source maximum    1,2 Ω
• Tension Grille Source maximum    ±30 V
• Type de boîtier    TO-220F
• Type de montage    Traversant
• Nombre de broche    3
• Mode canal    Enrichissement
• Catégorie    MOSFET de puissance
• Dissipation de puissance maximum    48 W
• Configuration    Simple
• Hauteur    9.19mm
• Retard au blocage typique    81 ns
• Température de fonctionnement minimum    -55 °C
• Charge de Grille type @ Vgs    28 nC V @ 10
• Retard à la conduction typique    16,5 ns
• Nombre d’éléments par circuit    1
• Largeur    4.7mm
• Dimensions    10.16 x 4.7 x 9.19mm
• Température d’utilisation maximum    +150 °C
• Capacitance d’entrée typique @ Vds    965 pF V @ 25
• Longueur    10.16mm