IRS2301STRPBF Driver de MOSFET 200mA 20V, 8 broches, SOIC

• N° de pièce : IRS2301S
• Courant de sortie 200 mA
• Tension d'alimentation 20V
• Nombre de broches 8
• Type de boîtier SOIC
• Temps de descente 80ns

Caractéristiques techniques:

• Type de canal    N
• Courant continu de Drain maximum    190 A
• Tension Drain Source maximum    100 V
• Résistance Drain Source maximum    0,0065 Ω
• Tension de seuil minimale de la grille    2V
• Tension Grille Source maximum    ±20 V
• Type de boîtier    SOT-227
• Type de montage    CMS
• Nombre de broche    4
• Mode canal    Enrichissement
• Catégorie    MOSFET de puissance
• Dissipation de puissance maximum    568 W
• Configuration    Double source
• Retard au blocage typique    181 ns
• Capacitance d'entrée typique @ Vds    10700 pF @ 25 V
• Charge de Grille type @ Vgs    250 nC @ 10 V
• Hauteur    12.3mm
• Retard à la conduction typique    45 ns
• Température de fonctionnement minimum    -55 °C
• Largeur    25.7mm
• Température d'utilisation maximum    +150 °C
• Longueur    38.3mm
• Dimensions    38.3 x 25.7 x 12.3mm
• Nombre d'éléments par circuit    1

Caractéristiques techniques:

• Type de canal    N
• Courant continu de Drain maximum    7,5 A
• Tension Drain Source maximum    600 V
• Résistance Drain Source maximum    1,2 Ω
• Tension Grille Source maximum    ±30 V
• Type de boîtier    TO-220F
• Type de montage    Traversant
• Nombre de broche    3
• Mode canal    Enrichissement
• Catégorie    MOSFET de puissance
• Dissipation de puissance maximum    48 W
• Configuration    Simple
• Hauteur    9.19mm
• Retard au blocage typique    81 ns
• Température de fonctionnement minimum    -55 °C
• Charge de Grille type @ Vgs    28 nC V @ 10
• Retard à la conduction typique    16,5 ns
• Nombre d'éléments par circuit    1
• Largeur    4.7mm
• Dimensions    10.16 x 4.7 x 9.19mm
• Température d'utilisation maximum    +150 °C
• Capacitance d'entrée typique @ Vds    965 pF V @ 25
• Longueur    10.16mm

• Type de canal    N
• Courant continu de Drain maximum    110 A
• Type de boîtier    TO-220AB
• Type de montage    Traversant
• Nombre de broche    3
• Catégorie    MOSFET de puissance

Caractéristiques techniques:

• Type de canal    N
• Courant continu de Drain maximum    23 A
• Tension Drain Source maximum    100 V
• Résistance Drain Source maximum    0,072 Ω
• Tension de seuil maximale de la grille    2V
• Tension de seuil minimale de la grille    1V
• Tension Grille Source maximum    ±15 V
• Type de boîtier    TO-220AB
• Type de montage    Traversant
• Nombre de broche    3
• Configuration du transistor    Simple
• Mode canal    Enrichissement
• Catégorie    MOSFET de puissance
• Dissipation de puissance maximum    98 W
• Température d'utilisation maximum    +175 °C
• Hauteur    9.4mm
• Retard au blocage typique    58 ns
• Capacitance d'entrée typique @ Vds    1278 pF @ 25 V
• Nombre d'éléments par circuit    1
• Dimensions    10.3 x 4.7 x 9.4mm
• Température de fonctionnement minimum    -55 °C

• Type de canal     N
• Courant continu de Drain maximum     20 A
• Tension Drain Source maximum     600 V
• Tension de seuil maximale de la grille     5.5V
• Tension de seuil minimale de la grille     3.5V
• Tension Grille Source maximum     -20 V, +20 V
• Type de boîtier     A-247
• Type de montage     Traversant
• Nombre de broche     3
• Configuration du transistor     Simple
• Catégorie     MOSFET de puissance