IRS2301STRPBF Driver de MOSFET 200mA 20V, 8 broches, SOIC

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Description

  • N° de pièce : IRS2301S
  • Courant de sortie 200 mA
  • Tension d’alimentation 20V
  • Nombre de broches 8
  • Type de boîtier SOIC
  • Temps de descente 80ns

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ImageVS-FB190SA10, Transistor MOSFET, Canal-N, 190 A 100 V SOT-227, 4 brochesFQPF8N60, Transistor MOSFET, Canal-N, 7,5 A 600 V TO-220F, 3 brochesIRF3205, Transistor MOSFET, Canal-N, 110 A 55 V TO-220AB, 3 brochesBUK9575-100A, Transistor MOSFET, Canal-N, 23 A 100 V TO-220AB, 3 broches20N60S5, Transistor MOSFET, Canal-N, 20 A 600 V TO-247
SKUC05A572C05A243C05A260C05A256C05A275C05A362
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Description

VS-FB190SA10, Transistor MOSFET, Canal-N, 190 A 100 V SOT-227, 4 broches

FQPF8N60, FQPF8N60C

SPW20N60S5 Mosfet de puissance
Content
  • N° de pièce : IRS2301S
  • Courant de sortie 200 mA
  • Tension d'alimentation 20V
  • Nombre de broches 8
  • Type de boîtier SOIC
  • Temps de descente 80ns

Caractéristiques techniques:

  • Type de canal    N
  • Courant continu de Drain maximum    190 A
  • Tension Drain Source maximum    100 V
  • Résistance Drain Source maximum    0,0065 Ω
  • Tension de seuil minimale de la grille    2V
  • Tension Grille Source maximum    ±20 V
  • Type de boîtier    SOT-227
  • Type de montage    CMS
  • Nombre de broche    4
  • Mode canal    Enrichissement
  • Catégorie    MOSFET de puissance
  • Dissipation de puissance maximum    568 W
  • Configuration    Double source
  • Retard au blocage typique    181 ns
  • Capacitance d'entrée typique @ Vds    10700 pF @ 25 V
  • Charge de Grille type @ Vgs    250 nC @ 10 V
  • Hauteur    12.3mm
  • Retard à la conduction typique    45 ns
  • Température de fonctionnement minimum    -55 °C
  • Largeur    25.7mm
  • Température d'utilisation maximum    +150 °C
  • Longueur    38.3mm
  • Dimensions    38.3 x 25.7 x 12.3mm
  • Nombre d'éléments par circuit    1

Caractéristiques techniques:

  • Type de canal    N
  • Courant continu de Drain maximum    7,5 A
  • Tension Drain Source maximum    600 V
  • Résistance Drain Source maximum    1,2 Ω
  • Tension Grille Source maximum    ±30 V
  • Type de boîtier    TO-220F
  • Type de montage    Traversant
  • Nombre de broche    3
  • Mode canal    Enrichissement
  • Catégorie    MOSFET de puissance
  • Dissipation de puissance maximum    48 W
  • Configuration    Simple
  • Hauteur    9.19mm
  • Retard au blocage typique    81 ns
  • Température de fonctionnement minimum    -55 °C
  • Charge de Grille type @ Vgs    28 nC V @ 10
  • Retard à la conduction typique    16,5 ns
  • Nombre d'éléments par circuit    1
  • Largeur    4.7mm
  • Dimensions    10.16 x 4.7 x 9.19mm
  • Température d'utilisation maximum    +150 °C
  • Capacitance d'entrée typique @ Vds    965 pF V @ 25
  • Longueur    10.16mm
Caractéristiques techniques:
  • Type de canal    N
  • Courant continu de Drain maximum    110 A
  • Type de boîtier    TO-220AB
  • Type de montage    Traversant
  • Nombre de broche    3
  • Catégorie    MOSFET de puissance

Caractéristiques techniques:

  • Type de canal    N
  • Courant continu de Drain maximum    23 A
  • Tension Drain Source maximum    100 V
  • Résistance Drain Source maximum    0,072 Ω
  • Tension de seuil maximale de la grille    2V
  • Tension de seuil minimale de la grille    1V
  • Tension Grille Source maximum    ±15 V
  • Type de boîtier    TO-220AB
  • Type de montage    Traversant
  • Nombre de broche    3
  • Configuration du transistor    Simple
  • Mode canal    Enrichissement
  • Catégorie    MOSFET de puissance
  • Dissipation de puissance maximum    98 W
  • Température d'utilisation maximum    +175 °C
  • Hauteur    9.4mm
  • Retard au blocage typique    58 ns
  • Capacitance d'entrée typique @ Vds    1278 pF @ 25 V
  • Nombre d'éléments par circuit    1
  • Dimensions    10.3 x 4.7 x 9.4mm
  • Température de fonctionnement minimum    -55 °C
Caractéristiques techniques:
  • Type de canal     N
  • Courant continu de Drain maximum     20 A
  • Tension Drain Source maximum     600 V
  • Tension de seuil maximale de la grille     5.5V
  • Tension de seuil minimale de la grille     3.5V
  • Tension Grille Source maximum     -20 V, +20 V
  • Type de boîtier     A-247
  • Type de montage     Traversant
  • Nombre de broche     3
  • Configuration du transistor     Simple
  • Catégorie     MOSFET de puissance
Weight00000
DimensionsNDNDNDNDNDND
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