Description | | VS-FB190SA10, Transistor MOSFET, Canal-N, 190 A 100 V SOT-227, 4 broches | FQPF8N60, FQPF8N60C | | | SPW20N60S5 Mosfet de puissance |
Content |
- N° de pièce : IRS2301S
- Courant de sortie 200 mA
- Tension d'alimentation 20V
- Nombre de broches 8
- Type de boîtier SOIC
- Temps de descente 80ns
| Caractéristiques techniques:
- Type de canal N
- Courant continu de Drain maximum 190 A
- Tension Drain Source maximum 100 V
- Résistance Drain Source maximum 0,0065 Ω
- Tension de seuil minimale de la grille 2V
- Tension Grille Source maximum ±20 V
- Type de boîtier SOT-227
- Type de montage CMS
- Nombre de broche 4
- Mode canal Enrichissement
- Catégorie MOSFET de puissance
- Dissipation de puissance maximum 568 W
- Configuration Double source
- Retard au blocage typique 181 ns
- Capacitance d'entrée typique @ Vds 10700 pF @ 25 V
- Charge de Grille type @ Vgs 250 nC @ 10 V
- Hauteur 12.3mm
- Retard à la conduction typique 45 ns
- Température de fonctionnement minimum -55 °C
- Largeur 25.7mm
- Température d'utilisation maximum +150 °C
- Longueur 38.3mm
- Dimensions 38.3 x 25.7 x 12.3mm
- Nombre d'éléments par circuit 1
| Caractéristiques techniques:
- Type de canal N
- Courant continu de Drain maximum 7,5 A
- Tension Drain Source maximum 600 V
- Résistance Drain Source maximum 1,2 Ω
- Tension Grille Source maximum ±30 V
- Type de boîtier TO-220F
- Type de montage Traversant
- Nombre de broche 3
- Mode canal Enrichissement
- Catégorie MOSFET de puissance
- Dissipation de puissance maximum 48 W
- Configuration Simple
- Hauteur 9.19mm
- Retard au blocage typique 81 ns
- Température de fonctionnement minimum -55 °C
- Charge de Grille type @ Vgs 28 nC V @ 10
- Retard à la conduction typique 16,5 ns
- Nombre d'éléments par circuit 1
- Largeur 4.7mm
- Dimensions 10.16 x 4.7 x 9.19mm
- Température d'utilisation maximum +150 °C
- Capacitance d'entrée typique @ Vds 965 pF V @ 25
- Longueur 10.16mm
| Caractéristiques techniques:
- Type de canal N
- Courant continu de Drain maximum 110 A
- Type de boîtier TO-220AB
- Type de montage Traversant
- Nombre de broche 3
- Catégorie MOSFET de puissance
| Caractéristiques techniques:
- Type de canal N
- Courant continu de Drain maximum 23 A
- Tension Drain Source maximum 100 V
- Résistance Drain Source maximum 0,072 Ω
- Tension de seuil maximale de la grille 2V
- Tension de seuil minimale de la grille 1V
- Tension Grille Source maximum ±15 V
- Type de boîtier TO-220AB
- Type de montage Traversant
- Nombre de broche 3
- Configuration du transistor Simple
- Mode canal Enrichissement
- Catégorie MOSFET de puissance
- Dissipation de puissance maximum 98 W
- Température d'utilisation maximum +175 °C
- Hauteur 9.4mm
- Retard au blocage typique 58 ns
- Capacitance d'entrée typique @ Vds 1278 pF @ 25 V
- Nombre d'éléments par circuit 1
- Dimensions 10.3 x 4.7 x 9.4mm
- Température de fonctionnement minimum -55 °C
| Caractéristiques techniques:
- Type de canal N
- Courant continu de Drain maximum 20 A
- Tension Drain Source maximum 600 V
- Tension de seuil maximale de la grille 5.5V
- Tension de seuil minimale de la grille 3.5V
- Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
- Type de boîtier A-247
- Type de montage Traversant
- Nombre de broche 3
- Configuration du transistor Simple
- Catégorie MOSFET de puissance
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