IRF530N, MOSFET, Canal-N 17A 100V TO-220AB

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Description

Caractéristiques:

  • Type de canal N
  • Courant continu de Drain maximum 17 A
  • Tension Drain Source maximum 100 V
  • Type de boîtier TO-220AB
  • Type de montage Traversant
  • Nombre de broches 3

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ImageTransistor bipolaire NPN, BC5462N4401 40V Transistor NPNG15N60 - Transistor IGBT 15A 600VTIP122 5A 100V Transistor NPNC5707 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 A
SKUC05A508C05A064C05A157C05A177C05A154C05A188
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Description

5xTransistor bipolaire NPN, BC546

2N4401 40V  Transistor NPN

Applications:

AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.

TIP122 5A 100V  Transistor NPN

NPN, 50 V, 8A

ContentCaractéristiques:
  • Type de canal N
  • Courant continu de Drain maximum 17 A
  • Tension Drain Source maximum 100 V
  • Type de boîtier TO-220AB
  • Type de montage Traversant
  • Nombre de broches 3

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
  • Courant de collecteur DC: 600mA
  • Nombre de broches: 3
  • Température de fonctionnement max..: 150°C
  • Polarité transistor: NPN
  • Type de boîtier de transistor: TO-92

Package / Case TO-220
Current Rating 5A
Voltage Rated 100V
Transistor Type NPN

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 50V
Courant de collecteur DC: 8A
Gain en courant DC hFE: 200
Dissipation de puissance Pd: 15W
Fréquence de transition ft: 330MHz
Nombre de broches: 3
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: NPN
Type de boîtier de transistor: TO-251

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