IRF530N, MOSFET, Canal-N 17A 100V TO-220AB
Description
Caractéristiques:
- Type de canal N
- Courant continu de Drain maximum 17 A
- Tension Drain Source maximum 100 V
- Type de boîtier TO-220AB
- Type de montage Traversant
- Nombre de broches 3
Quick Comparison
Settings | IRF530N, MOSFET, Canal-N 17A 100V TO-220AB remove | NPN,BC546 remove | 2N4401 40V Transistor NPN remove | G15N60 - Transistor IGBT 15A 600V remove | TIP122 5A 100V Transistor NPN remove | C5707 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 50 V, 330 MHz, 15 W, 8 A remove |
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Image | ||||||
SKU | C05A508 | C05A064 | C05A157 | C05A177 | C05A154 | C05A188 |
Rating | ||||||
Price | 12.00د.م. | 2.00د.م. | 1.50د.م. | 30.00د.م. | 5.00د.م. | 6.00د.م. |
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Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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Description | 5xTransistor bipolaire NPN, BC546 | 2N4401 40V Transistor NPN | Applications: AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls. | TIP122 5A 100V Transistor NPN | NPN, 50 V, 8A | |
Content | Caractéristiques:
| Petit signal NPNLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. |
| Package / Case TO-220 | Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 50V | |
Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
Additional information |