IRF530N, MOSFET, Canal-N 17A 100V TO-220AB

Name: IRF530N, MOSFET, Canal-N 17A 100V TO-220AB
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Caractéristiques:

Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 17 A
Tension Drain Source maximum 100 V
Type de boîtier TO-220AB
Type de montage Traversant
Nombre de broches 3

Quick Comparison

Settings	IRF530N, MOSFET, Canal-N 17A 100V TO-220AB remove	2N2222, NPN 40 V 1 A remove	2N4401 40V Transistor NPN remove	NPN,BC546 remove	BC338-16, NPN 25V 800mA remove	G15N60 - Transistor IGBT 15A 600V remove
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Description		Transistor bipolaire, PN2222ATFR, NPN 40 V 1 A	2N4401 40V Transistor NPN	5xTransistor bipolaire NPN, BC546	Transistor bipolaire, BC338-16, NPN 25V 800mA	Applications: AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.
Content	Caractéristiques: Type de canal N Courant continu de Drain maximum 17 A Tension Drain Source maximum 100 V Type de boîtier TO-220AB Type de montage Traversant Nombre de broches 3		Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V Courant de collecteur DC: 600mA Nombre de broches: 3 Température de fonctionnement max..: 150°C Polarité transistor: NPN Type de boîtier de transistor: TO-92	Petit signal NPN Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.	Petits signaux NPN, 600 → 800 mA Petit signal NPN Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N. Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.
Weight		0	0	0	0	0
Dimensions	ND	ND	ND	ND	ND	ND
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IRF530N, MOSFET, Canal-N 17A 100V TO-220AB

Description

Quick Comparison

Petit signal NPN

Petits signaux NPN, 600 → 800 mA

Petit signal NPN

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