IRF530N, MOSFET, Canal-N 17A 100V TO-220AB

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Description

Caractéristiques:

  • Type de canal N
  • Courant continu de Drain maximum 17 A
  • Tension Drain Source maximum 100 V
  • Type de boîtier TO-220AB
  • Type de montage Traversant
  • Nombre de broches 3

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SettingsIRF530N, MOSFET, Canal-N 17A 100V TO-220AB remove2N2222, NPN 40 V 1 A remove2N4401 40V Transistor NPN removeNPN,BC546 removeBC338-16, NPN 25V 800mA removeG15N60 - Transistor IGBT 15A 600V remove
ImageNPN 40V 1A, Amplificateur de puissance2N4401 40V Transistor NPNTransistor bipolaire NPN, BC546BC338-16, NPN 25V 800mAG15N60 - Transistor IGBT 15A 600V
SKUC05A508C05A063C05A157C05A064C05A061C05A177
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DescriptionTransistor bipolaire, PN2222ATFR, NPN 40 V 1 A

2N4401 40V  Transistor NPN

5xTransistor bipolaire NPN, BC546

Transistor bipolaire, BC338-16, NPN 25V 800mA

Applications:

AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.

ContentCaractéristiques:
  • Type de canal N
  • Courant continu de Drain maximum 17 A
  • Tension Drain Source maximum 100 V
  • Type de boîtier TO-220AB
  • Type de montage Traversant
  • Nombre de broches 3
  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
  • Courant de collecteur DC: 600mA
  • Nombre de broches: 3
  • Température de fonctionnement max..: 150°C
  • Polarité transistor: NPN
  • Type de boîtier de transistor: TO-92

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Petits signaux NPN, 600 → 800 mA

Petit signal NPN

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif NPN est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé P (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées N.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

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