IRFP250N Transistor MOSFET Canal-N 30A 200V TO-247AC

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  • Type de canal N
  • Courant continu de Drain maximum 30 A
  • Tension Drain Source maximum 200 V
  • Type de boîtier TO-247AC

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ImageIRFP150N, Transistor N-MOSFET 100V 42A 160w TO247acFQPF8N60, Transistor MOSFET, Canal-N, 7,5 A 600 V TO-220F, 3 brochesTransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600V
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Description
  • VDS = 100 V
  • ID = 42 A
  • Ptot = 160 W
  • RDS(ON) = 0,036 Ohm
IRF840 Transistor MOSFET canal N, 500 V 8A

FQPF8N60, FQPF8N60C

5xTransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600V

Ce produit est vendu par packet de 5 unités.

Content
  • Type de canal N
  • Courant continu de Drain maximum 30 A
  • Tension Drain Source maximum 200 V
  • Type de boîtier TO-247AC

Déscriptif:

  • Catégorie du produit:     MOSFET     
  • Package/Boîte:     TO-247-3     
  • Nombre de canaux:     1 Channel     
  • Polarité du transistor:     N-Channel     
  • Vds - Tension de rupture drain-source:     100 V     
  • Id - Courant continu de fuite:     42 A     
  • Rds On - Résistance drain-source:     36 mOhms     
  • Vgs - Tension grille-source:     20 V     
  • Température de fonctionnement max.:     + 175 C     
  • Marque:     International Rectifier     
  • Configuration:     Single     
  • Temps de descente:     40 ns     
  • Température de fonctionnement min.:     - 55 C     
  • Pd - Dissipation d’énergie :     150 W     
  • Temps de montée:     56 ns     
  • Type de transistor:     1 N-Channel
  • Type de canal    N
  • Courant continu de Drain maximum    10 A
  • Tension Drain Source maximum    400 V
  • Type de boîtier    TO-220AB
  • Nombre de broche    3
  • Catégorie    MOSFET de puissance
Caractéristiques:
  • Type de canal     N
  • Courant continu de Drain maximum     8 A
  • Tension Drain Source maximum     500 V
  • Type de boîtier     TO-220AB

Caractéristiques techniques:

  • Type de canal    N
  • Courant continu de Drain maximum    7,5 A
  • Tension Drain Source maximum    600 V
  • Résistance Drain Source maximum    1,2 Ω
  • Tension Grille Source maximum    ±30 V
  • Type de boîtier    TO-220F
  • Type de montage    Traversant
  • Nombre de broche    3
  • Mode canal    Enrichissement
  • Catégorie    MOSFET de puissance
  • Dissipation de puissance maximum    48 W
  • Configuration    Simple
  • Hauteur    9.19mm
  • Retard au blocage typique    81 ns
  • Température de fonctionnement minimum    -55 °C
  • Charge de Grille type @ Vgs    28 nC V @ 10
  • Retard à la conduction typique    16,5 ns
  • Nombre d'éléments par circuit    1
  • Largeur    4.7mm
  • Dimensions    10.16 x 4.7 x 9.19mm
  • Température d'utilisation maximum    +150 °C
  • Capacitance d'entrée typique @ Vds    965 pF V @ 25
  • Longueur    10.16mm

Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A

 

MOSFET - Canal N

Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Une tension sur l'électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.

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