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K2611, MOSFET, Canal-N 9A 900V TO-247
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Sa technologie de pointe a été spécialement conçue pour minimiser la résistance à l’état passant, fournir des performances de commutation supérieures et résister aux impulsions à haute énergie en mode avalanche et commutation. Ces dispositifs sont bien adaptés aux alimentations à découpage à haut rendement
Description
Caractéristiques:
- Numéro de modèle : K2611
- Nombre de canaux : 1 canal
- Polarité du transistor : canal N
- Tension de rupture drain-source : 900 V
- Courant de vidange continu : 9 A
- Résistance drain-source : 1,1 Ohms
- Tension grille-source : 30 V
- Charge de porte : 58 NC
- Plage de température de fonctionnement : -55 ~ 150 °C
- Puissance dissipée : 150 W
- Paquet : TO-247
