PM20CSJ060 Transistor module IGBT, Canal N, 20A, 600 V

Description

Spécifications:

• Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on): 1.8V
• Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 600V
• Courant de collecteur DC: 20A
• Dissipation de puissance Pd: 56W
• Nombre de broches: 23
• Température de fonctionnement max..: 150°C
• Polarité transistor: Canal N