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20N60C3 MOSFET SMD Canal-N 21A 650V
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- SPB20N60C3ATMA1
- MOSFET SMD Canal-N 21A 650V
Description
Caractéristiques techniques:
- Type de canal N
- Courant continu de Drain maximum 20,7 A
- Tension Drain Source maximum 650 V
- Type de boîtier D2PAK (TO-263)
- Type de montage CMS
- Nombre de broche 3
Quick Comparison
| Settings | 20N60C3 MOSFET SMD Canal-N 21A 650V remove | 2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w remove | IRFU9024NPBF Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V remove | 2N3906, PNP -40 V -200 mA remove | PNP -30 V -100 mA remove | G15N60 - Transistor IGBT 15A 600V remove |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Image | |  |  |  |  |  |
| SKU | C05A428 | C05A145 | C05A189 | C05A067 | C05A068 | C05A177 |
| Rating | ||||||
| Price | 25.00د.م. | 25.00د.م. | 6.00د.م. | 1.00د.م. | 3.50د.م. | 30.00د.م. |
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|
| Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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| Description |
| 2SC5446, transistor NPN / 1700v / 18a / 200w | Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, 55 V, 175 mohm, -10 V, -4 V | Transistor bipolaire, 2N3906, PNP -40 V -200 mA, TO-92, 3 broches | 5xTransistor bipolaire PNP -30 V -100 mA, TO-92, 3 broches | Applications: AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls. |
| Content | Caractéristiques techniques:
| Courant de drain Id: 11A | Petit signal PNP, 150 → 400 mAPetit signal PNPLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P. | Petit signal PNP, jusqu'à 100 mAPetit signal PNPLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P. | ||
| Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
| Additional information |
