2N6059 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 100 V, 4 MHz, 150 W, 12 A

Description

Caractéristiques:

• Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 100V
• Courant de collecteur DC: 12A
• Gain en courant DC hFE: 100
• Dissipation de puissance Pd: 150W
• Fréquence de transition ft: 4MHz
• Nombre de broches: 3
• Température de fonctionnement max..: 200°C
• Polarité transistor: NPN
• Type de boîtier de transistor: TO-3