BD243C Transistor, NPN, 100 V, 6 A, TO-220

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Description

Caractéristiques techniques:

  • Type de transistor     NPN
  • Courant continu de Collecteur maximum     6 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum     100 V
  • Type de boîtier     A-220
  • Type de montage     Traversant
  • Dissipation de puissance maximum     65 W
  • Gain en courant DC minimum     15
  • Configuration du transistor     Simple
  • Tension Collecteur Base maximum     100 V c.c.
  • Tension Emetteur Base maximum     5 V
  • Fréquence de fonctionnement maximum     1 MHz
  • Nombre de broche     3

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SettingsBD243C Transistor, NPN, 100 V, 6 A, TO-220 remove2N2222, NPN 40 V 1 A removeD1795 Transistor NPN 10A removeG15N60 - Transistor IGBT 15A 600V removePNP -30 V -100 mA removeTIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN remove
ImageBD243C Transistor, NPN, 100 V, 6 A, TO-220NPN 40V 1A, Amplificateur de puissanceD1795 Transistor NPN 10AG15N60 - Transistor IGBT 15A 600VTransistor, Fairchild, BC559BTATIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN
SKUC05A377C05A063C05A144C05A177C05A068C05A153
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DescriptionTransistor bipolaire, PN2222ATFR, NPN 40 V 1 A

D1795 Transistor NPN 10A

Applications:

AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.

5xTransistor bipolaire  PNP -30 V -100 mA, TO-92, 3 broches

Amps: 10
Voltage: 100
Package: TO-218
Nombre de terminaux: 3

Content

Caractéristiques techniques:

  • Type de transistor     NPN
  • Courant continu de Collecteur maximum     6 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum     100 V
  • Type de boîtier     A-220
  • Type de montage     Traversant
  • Dissipation de puissance maximum     65 W
  • Gain en courant DC minimum     15
  • Configuration du transistor     Simple
  • Tension Collecteur Base maximum     100 V c.c.
  • Tension Emetteur Base maximum     5 V
  • Fréquence de fonctionnement maximum     1 MHz
  • Nombre de broche     3

Petit signal PNP, jusqu'à 100 mA

 

Petit signal PNP

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

Maximum Ratings:
Collector-base voltage (IE = 0): 100V
Collector-emitter voltage (IB = 0): 100V
Emitter-base voltage (IC = 0): 5.0V
Collector current: 10A
Collector peak current: 20A
Base current: 0.5A

Applications: Linear and Switching Industrial Equipment

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DimensionsNDNDNDNDNDND
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