BD243C Transistor, NPN, 100 V, 6 A, TO-220
Description
Caractéristiques techniques:
- Type de transistor NPN
- Courant continu de Collecteur maximum 6 A
- Tension Collecteur Emetteur maximum 100 V
- Type de boîtier A-220
- Type de montage Traversant
- Dissipation de puissance maximum 65 W
- Gain en courant DC minimum 15
- Configuration du transistor Simple
- Tension Collecteur Base maximum 100 V c.c.
- Tension Emetteur Base maximum 5 V
- Fréquence de fonctionnement maximum 1 MHz
- Nombre de broche 3
Quick Comparison
Settings | BD243C Transistor, NPN, 100 V, 6 A, TO-220 remove | 2N2222, NPN 40 V 1 A remove | D1795 Transistor NPN 10A remove | G15N60 - Transistor IGBT 15A 600V remove | PNP -30 V -100 mA remove | TIP142 10A 100V Darlington Transistor NPN remove |
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SKU | C05A377 | C05A063 | C05A144 | C05A177 | C05A068 | C05A153 |
Rating | ||||||
Price | 10.00د.م. | 1.00د.م. | 20.00د.م. | 30.00د.م. | 3.50د.م. | 6.00د.م. |
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Availability | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock | In Stock |
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Description | Transistor bipolaire, PN2222ATFR, NPN 40 V 1 A | D1795 Transistor NPN 10A | Applications: AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls. | 5xTransistor bipolaire PNP -30 V -100 mA, TO-92, 3 broches | Amps: 10 | |
Content | Caractéristiques techniques:
| Petit signal PNP, jusqu'à 100 mAPetit signal PNPLes transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P. | Maximum Ratings: | |||
Weight | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Dimensions | ND | ND | ND | ND | ND | ND |
Additional information |