FGH40N60SFD IGBT Canal-N 80A 600V

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  • FGH40N60SFDTU Transistor IGBT Canal-N 80A 600V

Description

Caractéristiques:

  • Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on): 600V
  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 600V
  • Courant de collecteur DC: 80A
  • Dissipation de puissance Pd: 349W
  • Nombre de broches: 3
  • Type de boîtier de transistor: TO-247AB
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