STP75NF75 MOSFET, Canal-N, 80 A 75 V A-220

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P75NF75 75NF75

Description

Caractéristiques techniques:

  • Type de canal     N
  • Courant continu de Drain maximum     80 A
  • Tension Drain Source maximum     75 V
  • Résistance Drain Source maximum     11 mΩ
  • Tension de seuil maximale de la grille     4V
  • Tension de seuil minimale de la grille     2V
  • Tension Grille Source maximum     -20 V, +20 V
  • Type de boîtier     A-220
  • Type de montage     Traversant
  • Nombre de broche     3

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SettingsSTP75NF75 MOSFET, Canal-N, 80 A 75 V A-220 remove1.2A 600V Mosfet - Transistor MOSFET Canal-N remove17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3 remove2N4401 40V Transistor NPN removeD1535 Transistor NPN removePNP -30 V -100 mA remove
ImageSTP75NF75 MOSFET, Canal-N, 80 A 75 V A-220Transistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600V17N80C3 MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-32N4401 40V Transistor NPND1535 Transistor NPNTransistor, Fairchild, BC559BTA
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Description

P75NF75 75NF75

5xTransistor MOSFETCanal-N, 1.2A 600V

Ce produit est vendu par packet de 5 unités.

MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3

2N4401 40V  Transistor NPN

D1535 Transistor NPN

5xTransistor bipolaire  PNP -30 V -100 mA, TO-92, 3 broches

Content

Caractéristiques techniques:

  • Type de canal     N
  • Courant continu de Drain maximum     80 A
  • Tension Drain Source maximum     75 V
  • Résistance Drain Source maximum     11 mΩ
  • Tension de seuil maximale de la grille     4V
  • Tension de seuil minimale de la grille     2V
  • Tension Grille Source maximum     -20 V, +20 V
  • Type de boîtier     A-220
  • Type de montage     Traversant
  • Nombre de broche     3

Transistors MOSFET canal N 0,26 → 0,5 A

 

MOSFET - Canal N

Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Une tension sur l'électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.

Courant de drain Id: 17A
Dissipation de puissance Pd: 227W
Tension Vds max..: 800V
Nombre de broches: 3
Résistance Rds(on): 0.25ohm
Température de fonctionnement max..: 150°C
Polarité transistor: Canal N
Tension, mesure Rds: 10V
Tension de seuil Vgs: 3V
Type de boîtier de transistor: TO-220

  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 40V
  • Courant de collecteur DC: 600mA
  • Nombre de broches: 3
  • Température de fonctionnement max..: 150°C
  • Polarité transistor: NPN
  • Type de boîtier de transistor: TO-92

Petit signal PNP, jusqu'à 100 mA

 

Petit signal PNP

Les transistors sont des dispositifs à semi-conducteurs utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électriques et une alimentation. Un transistor bipolaire de jonction (BJT) est un dispositif à trois bornes comprenant trois couches de matériau semi-conducteur dopé. Un dispositif PNP est un des deux types de transistors bipolaires et consiste en une couche de semi-conducteur dopé N (la base) prise en sandwich entre deux couches dopées P.
Les transistors bipolaires de jonction à usage général peuvent globalement être divisés en deux types : les petits signaux, ayant généralement une intensité nominale jusqu'à 1 000 mA, et l'alimentation, avec une intensité nominale supérieure à 1 A.

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